公开(公告)号：CN101809188B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880108974.4

申请日：2008-09-17

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： E·A·费多洛夫斯卡亚 ,  M·L·博罗森 ,  D·H·李维 ,  J·A·阿戈斯蒂内利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L51/52

CPC classification number: B05D5/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L51/5253

Abstract: 公开了一种工艺，用于通过在要被密封的OLED器件上淀积薄膜材料来生成用于OLED器件的薄膜密封封装，包括沿着基本上平行伸长的输出口同时引导一系列气流，其中所述一系列气流按顺序包括至少第一反应气体材料、惰性净化气体和第二反应气体材料，可选地重复多次，其中所述第一反应气体材料能够与用所述第二反应气体材料处理过的衬底表面反应以形成密封薄膜，其中所述第一反应气体材料是挥发性有机金属前体化合物。基本上在大气压或高于大气压下实施所述工艺，并且 在淀积期间所述衬底的温度在250℃以下。

公开(公告)号：CN101415862A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011685.8

申请日：2007-03-14

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·H·李维

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L29/76 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明提供一种用于在基材(20)上沉积薄膜物质的分配歧管(10)，所述分配歧管包括多个用于序列气态物质的入口(18)，包括多个开放的伸长输出通道(12)的输出面，各通道以长度方向实质平行延伸。所述分配歧管(10)可用于沉积薄膜的沉积系统，且进一步包括用于多种气态物质的多个源，和用于使基材按预定紧密接近分配歧管(10)输出面定位的载体。在系统操作期间，完成输出面和基材载体之间的相对移动。

公开(公告)号：CN101809188A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108974.4

申请日：2008-09-17

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： E·A·费多洛夫斯卡亚 ,  M·L·博罗森 ,  D·H·李维 ,  J·A·阿戈斯蒂内利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L51/52

CPC classification number: B05D5/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L51/5253

Abstract: 公开了一种工艺，用于通过在要被密封的OLED器件上淀积薄膜材料来生成用于OLED器件的薄膜密封封装，包括沿着基本上平行伸长的输出口同时引导一系列气流，其中所述一系列气流按顺序包括至少第一反应气体材料、惰性净化气体和第二反应气体材料，可选地重复多次，其中所述第一反应气体材料能够与用所述第二反应气体材料处理过的衬底表面反应以形成密封薄膜，其中所述第一反应气体材料是挥发性有机金属前体化合物。基本上在大气压或高于大气压下实施所述工艺，并且在淀积期间所述衬底的温度在250℃以下。

公开(公告)号：CN101415860A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011728.2

申请日：2007-03-14

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·H·李维

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/545 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明涉及在基材上沉积薄膜的沉积方法，所述方法包括提供包含至少第一气态物质、第二气态物质和第三气态物质的多种气态物质，其中第一气态物质和第二气态物质相互为反应性，使得在第一气态物质或第二气态物质之一在基材的表面上时，第一气态物质或第二气态物质的另一种物质反应以在基材上沉积物质层，并且其中第三气态物质相对于与第一气态物质或第二气态物质反应为惰性。所述方法包括使气态物质沿着多个伸长通道的长度方向跨与其接近的基材表面流动。