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公开(公告)号:CN1610464A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410007822.9
申请日:2004-02-14
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/5237
Abstract: 具有性能改善的有机发光器件,包括在基材上形成的阳极,在阳极上形成的发光层,用于应答空穴一电子重组而产生光;和在发光层上形成的性能提高层,包括一种或多种选择的化学还原材料以改善有机发光器件的性能。该器件也包括在性能提高层上形成的电子传输层,和在电子传输层上形成的阴极。
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公开(公告)号:CN1610466A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410038794.7
申请日:2004-05-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/5278
Abstract: 级联有机电致发光器件包括阳极和阴极。该器件还包括位于阳极和阴极之间的多个有机电致发光单元,其中该有机电致发光单元包含至少一个空穴传输层、电子传输层、以及形成于空穴传输层和电子传输层之间的电致发光区,其中相邻电致发光区之间的物理间隔大于90nm;和位于每个相邻有机电致发光单元间的连接单元,其中该连接单元依次包含n-型掺杂的有机层和p-型掺杂的有机层形成透明p-n连接结构,其中每个掺杂的有机层的电阻率大于10Ω-cm。
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公开(公告)号:CN1575072B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200410038705.9
申请日:2004-04-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/5012
Abstract: 具有改善性能的有机发光器件,包括在基材上形成的阳极;在阳极上形成的空穴传输层;在空穴传输层上形成的响应于空穴电子复合而产生光的发光层。该有机发光器件还包括在发光层上形成的发射保护层,其中发射保护层包括一种或多种选择的材料以抵制有机发光层上的表面污染,并保证表面污染小于没有提供该层时;在发射保护层上形成的电子传输层;和在电子传输层上形成的阴极。
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公开(公告)号:CN100502086C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200410038794.7
申请日:2004-05-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5278
Abstract: 级联有机电致发光器件包括阳极和阴极。该器件还包括位于阳极和阴极之间的多个有机电致发光单元,其中该有机电致发光单元包含至少一个空穴传输层、电子传输层、以及形成于空穴传输层和电子传输层之间的电致发光区,其中相邻电致发光区之间的物理间隔大于90nm;和位于每个相邻有机电致发光单元间的连接单元,其中该连接单元依次包含n-型掺杂的有机层和p-型掺杂的有机层形成透明p-n连接结构,其中每个掺杂的有机层的电阻率大于10Ω-cm。
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公开(公告)号:CN1575072A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410038705.9
申请日:2004-04-30
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/5012
Abstract: 具有改善性能的有机发光器件,包括在基材上形成的阳极;在阳极上形成的空穴传输层;在空穴传输层上形成的响应于空穴电子复合而产生光的发光层。该有机发光器件还包括在发光层上形成的发射保护层,其中发射保护层包括一种或多种选择的材料以抵制有机发光层上的表面污染,并保证表面污染小于没有提供该层时;在发射保护层上形成的电子传输层;和在电子传输层上形成的阴极。
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