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公开(公告)号:CN1533219A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN200410030130.6
申请日:2004-03-19
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H05B33/12
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/41 , B41M5/426 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 生成高吸收施主基板以便向OLED器件提供一种或多种OLED材料的方法:在透明支撑元件上提供吸收体抗反射层,该抗反射层的折射指数的实部大于3.0,厚度接近感兴趣波长的第一反射率最小值;在抗反射层上提供一金属热吸收层,用于吸收穿过透明支撑元件和抗反射层的激光;选择透明支撑元件,抗反射层,和金属热吸收层,使得当在感兴趣波长处,平均反射率小于10%,由透明支撑元件的厚度变化所导致的微反射率变化小于10%;在金属热吸收层上的没有粘结剂材料内提供一层或多层有机材料层。