公开(公告)号：CN118693610A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410168075.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 坂井繁太 ,  井上裕隆 ,  萩元将人

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/18 ,  B81B7/02 ,  G02B27/01

Abstract: 提供具有宽的光谱宽度的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备驱动电路(110)及半导体激光元件(200)。在端面发光型的半导体激光元件(200)中，在通过脉冲驱动进行激光振荡时从一个发光部出射的光的光谱的包络线通过合成多个单一峰值的光谱而构成，并以所述包络线的半值宽度为3nm以上的方式构成。

公开(公告)号：CN114678771A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111430169.7

申请日：2021-11-29

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上裕隆 ,  萩元将人 ,  奥村忠嗣

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种抑制因芯片内的高度的差异而产生的实用上的问题的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有基板(1)；层叠于所述基板的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域。从所述多个发光区域的每一个放射的激光的光谱中的峰值波长(λ)的值根据所述发光层(EL)距所述第一面的厚度EH而不同。

公开(公告)号：CN117154543A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310628622.8

申请日：2023-05-31

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上裕隆 ,  坂井繁太 ,  萩元将人

IPC: H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置，其改善了可靠性。半导体激光装置(200A)具备基台(210)和以结朝下的方式安装于基台(210)的端面发光型的半导体激光芯片(100A)。在半导体激光芯片(100A)的层叠生长层(120)形成有m个(m≥1)激光谐振器(102)。在将光束的出射方向设为z轴，将半导体基板(110)的厚度方向设为y轴，将与z轴及y轴正交的方向设为x轴时，在x轴方向上，m个激光谐振器(102)从半导体基板110的第一面(S1)的中心(xp)观察存在于与半导体基板(110)的第二面(S2)的中心(xn)相反的一侧。

公开(公告)号：CN112701559A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911003787.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 宫本晋太郎 ,  萩元将人

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明提供能够适当地确保从发射器发出的热的散热经路、改善注入电流‑光输出特性(散热特性)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：具有第1面及第2面的半导体基板；形成于半导体基板的第1面上的半导体层；在半导体层内分别沿第1方向分开而配置且分别电连接的多个发光部；形成于半导体层上的第1电极；和形成于半导体基板的第2面上的第2电极。第1电极具有位于比在第1方向上配置于最外侧的发光部的外端部更靠外侧的第1部分和配置于最外侧的发光部的内端部与相邻的发光部的外端部之间的第2部分。在第1方向上，第1部分的宽度具有第2部分的宽度的一半以上的长度。

公开(公告)号：CN116937332A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310295707.9

申请日：2023-03-24

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上裕隆 ,  坂井繁太 ,  萩元将人

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/12

Abstract: 提供多光束半导体激光装置，改善了成品率。多光束半导体激光装置(200)具备第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)，第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)被沿第一方向邻接地支承。在第一半导体激光芯片(100_1)上，形成有沿与第一方向正交的第二方向延伸的m个(m≥1)激光谐振器(140)。在第二半导体激光芯片(100_2)上，形成有沿第二方向延伸的n个(n≥1)激光谐振器(140)。第一半导体激光芯片(100_1)的m个激光谐振器(140)偏向第二半导体激光芯片(100_2)侧配置。

公开(公告)号：CN114678770A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111428627.3

申请日：2021-11-29

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 萩元将人 ,  奥村忠嗣 ,  井上裕隆

IPC: H01S5/343 ,  G03B21/20

Abstract: 本发明提供一种有助于提高可见度和画质的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有：基板(1)；层叠于所述基板(1)的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域，在从所述多个发光区域放射的激光中，至少一个激光的光谱中的峰值波长与其他激光的光谱中的峰值波长之差为1.5nm以上。