量子级联激光器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109119891B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201810637494.2

    申请日:2018-06-20

    发明人: 桥本顺一

    IPC分类号: H01S5/12

    摘要: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器,包括:衬底,所述衬底包括衬底端面;半导体层叠体,所述半导体层叠体具有在轴向方向上延伸的层叠体端面和芯;第一电极,所述第一电极被设置在半导体层叠体上;第二电极,所述第二电极被设置在衬底的背表面上;绝缘膜,所述绝缘膜被设置在层叠体端面和第一电极上;以及第一金属膜,所述第一金属膜被设置在层叠体端面、绝缘膜和第一电极上,绝缘膜位于第一金属膜与半导体层叠体之间。衬底端面和层叠体端面沿着与轴向方向交叉的参考平面延伸。衬底端面具有布置在从衬底的背表面到主表面的方向上的第一区和第二区,并且第一金属膜具有在第二区上的端部。

    量子级联激光器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112787219A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011209595.3

    申请日:2020-11-03

    IPC分类号: H01S5/34 H01S5/20 H01S5/02253

    摘要: 本发明提供一种量子级联激光器,其具备:激光器结构体,具有在第1方向上射出激光的出射面;以及透镜,具有接受来自所述出射面的所述激光的入射面以及射出会聚后的所述激光的凸状面,所述激光器结构体具备半导体基板以及台面型波导,所述台面型波导设置于所述半导体基板的主面的第1区域上,并在所述第1方向上延伸,所述透镜包括半导体,并设置于所述半导体基板的所述主面的第2区域上,所述第1区域和所述第2区域在所述第1方向上排列。

    量子级联激光器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110350396A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910256638.4

    申请日:2019-04-01

    发明人: 桥本顺一

    IPC分类号: H01S5/183 H01S5/042

    摘要: 一种量子级联激光器,包括:激光器结构,包括第一端面和第二端面、半导体台面和支撑基底,第一端面和第二端面在第一轴的方向上排列,半导体台面具有布置在第一端面和第二端面之间的第一台面部分和第二台面部分;以及,半导体台面上的第一电极。半导体台面在第一台面部分和第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度,以及具有在第二台面部分的端部处具有小于第一台面宽度的第二台面宽度,并且在从边界到第二端面的方向上具有从第一台面宽度变化的宽度。第二台面部分包括高比电阻区,该高比电阻区具有比包括在第一台面部分和第二台面部分中的导电半导体区的比电阻高的比电阻。

    量子级联激光器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112217095A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202010638757.9

    申请日:2020-07-06

    IPC分类号: H01S5/22 H01S5/34

    摘要: 本发明提供一种量子级联激光器,该量子级联激光器具备激光器结构体,该激光器结构体具有第一端面以及所述第一端面的相反侧的第二端面并具有半导体叠层及半导体支承体,所述半导体支承体搭载所述半导体叠层,所述激光器结构体包括半导体台面以及埋入区域,所述半导体台面包含芯层,所述埋入区域埋入所述半导体台面,所述激光器结构体包括第一区域、第二区域以及第三区域,所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间,所述第一区域包括所述第一端面,所述半导体台面在所述第一区域包括第一条纹部,在所述第二区域包括第二条纹部,并且在所述第三区域包括第一锥部。

    量子级联激光器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109119895A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810638560.8

    申请日:2018-06-20

    IPC分类号: H01S5/34 H01S5/343

    摘要: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器,包括:具有主表面、背表面和衬底端面的衬底,所述衬底端面沿着和与所述第一方向交叉的第二方向交叉的参考平面延伸;具有沿着所述参考平面延伸的层叠体端面的半导体层叠体;设置在所述半导体层叠体上的第一电极;设置在所述衬底上的第二电极;设置在所述层叠体端面和所述第一电极上的第一绝缘膜;设置在所述第一绝缘膜、所述层叠体端面,所述衬底端面和所述第二电极上的金属膜;以及,设置在所述第一电极上的第二绝缘膜,所述第二绝缘膜具有在所述金属膜和所述半导体层叠体之间的所述第一电极上的部分。在所述第一电极上,所述第二绝缘膜具有大于所述第一绝缘膜的厚度的厚度。

    量子级联激光器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109119891A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810637494.2

    申请日:2018-06-20

    发明人: 桥本顺一

    IPC分类号: H01S5/12

    摘要: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器,包括:衬底,所述衬底包括衬底端面;半导体层叠体,所述半导体层叠体具有在轴向方向上延伸的层叠体端面和芯;第一电极,所述第一电极被设置在半导体层叠体上;第二电极,所述第二电极被设置在衬底的背表面上;绝缘膜,所述绝缘膜被设置在层叠体端面和第一电极上;以及第一金属膜,所述第一金属膜被设置在层叠体端面、绝缘膜和第一电极上,绝缘膜位于第一金属膜与半导体层叠体之间。衬底端面和层叠体端面沿着与轴向方向交叉的参考平面延伸。衬底端面具有布置在从衬底的背表面到主表面的方向上的第一区和第二区,并且第一金属膜具有在第二区上的端部。

    光学装置
    8.
    发明公开
    光学装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113572026A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110378578.0

    申请日:2021-04-08

    IPC分类号: H01S5/227 H01S5/343 H01S5/00

    摘要: 提供能够抑制噪声的光学装置。光学装置具备:发光模块,具有第一半导体层、芯层及第二半导体层依次层叠而成的发光元件;及光学系统,供从所述发光模块出射的光入射,所述第一半导体层、所述芯层及所述第二半导体层的层叠方向相对于与所述光学系统的光轴垂直的方向倾斜。

    量子级联激光器和发光装置

    公开(公告)号:CN109149366A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810620806.9

    申请日:2018-06-15

    发明人: 桥本顺一

    IPC分类号: H01S5/343 H01S5/02

    摘要: 本发明涉及量子级联激光器和发光装置。一种发光装置,包括:底座,所述底座包括安装面和端面,并且端面具有远离安装面的前边缘的上边缘;以及量子级联激光器,所述量子级联激光器被设置在前边缘和安装面上。量子级联激光器包括:激光器结构,所述激光器结构具有第一面和第二面;第一电极,所述第一电极位于第一面上;第二电极,所述第二电极位于第二面上;以及反射结构,所述反射结构位于激光器结构的第一端面上。反射结构包括:绝缘膜,所述绝缘膜具有在第一面上的第一端和在第二面上的第二端;以及金属膜,所述金属膜具有在第一面上的第一端和在第二面上的第二端。绝缘膜被设置在激光器结构与金属膜的第一端和第二端之间。

    量子级联激光器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109119889B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201810642321.X

    申请日:2018-06-21

    发明人: 桥本顺一

    IPC分类号: H01S5/042 H01S5/30 H01S5/12

    摘要: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器,包括:半导体器件部,所述半导体器件部具有衬底、半导体层压件和半导体绝缘部,半导体层压件具有主表面,衬底具有背表面和衬底端面,半导体层压件具有层压件端面,半导体绝缘部和衬底被设置为沿着与第二方向交叉的参考平面,半导体器件部具有前端面和后端面,前端面和后端面被布置在第二方向上,后端面包括衬底端面,并且衬底端面沿着参考平面延伸;第一电极,所述第一电极被设置在半导体层压件上;以及金属膜,所述金属膜被设置在后端面、半导体绝缘部和第二电极上,金属膜远离第一电极。