公开(公告)号：CN107068527B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201610831654.8

申请日：2016-09-19

Applicant: 住友重机械离子技术有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  冈本泰治 ,  越智昭浩 ,  上野勇介

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。

公开(公告)号：CN107068527A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610831654.8

申请日：2016-09-19

Applicant: 住友重机械离子技术有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  冈本泰治 ,  越智昭浩 ,  上野勇介

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。