一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法

    公开(公告)号:CN111696763B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202010511315.8

    申请日:2020-06-08

    IPC分类号: H01F27/28 H01F27/34 H01F27/36

    摘要: 本发明涉及一种变压器绕组中部漏磁场屏蔽结构及方法,属于变压器绕组磁屏蔽技术领域。技术方案:内绕组(1)中部的多个导线饼一(5)之间均设有磁屏蔽层一,磁屏蔽层一(3)的一端与内绕组相邻外绕组的一侧齐平,中间的磁屏蔽层一最短,两端的磁屏蔽层一最长;外绕组(2)中部的多个导线饼二(6)之间均设有磁屏蔽层二(4),磁屏蔽层二的一端与外绕组相邻内绕组的一侧齐平,中间的磁屏蔽层二最短,两端的磁屏蔽层二最长。本发明的有益效果:在内绕组和外绕组中部设置磁屏蔽层一和磁屏蔽层二,使进入绕组中部的漏磁通大幅减少,进而大幅减小绕组中部导线的短路发生力,降低变压器的材料成本,降低变压器短路阻抗,减小变压器电压调整率。

    一种变压器绕组端部漏磁场屏蔽结构及方法

    公开(公告)号:CN111564299A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010511937.0

    申请日:2020-06-08

    IPC分类号: H01F27/28 H01F27/34 H01F27/36

    摘要: 本发明涉及一种变压器绕组端部漏磁场屏蔽结构及方法,属于变压器绕组磁屏蔽技术领域。技术方案是:包含内绕组(1)、外绕组(2)和磁屏蔽层(3),内绕组(1)和外绕组(2)相邻外表面的上下端部均设有磁屏蔽层,磁屏蔽层为L形,与内绕组(1)和外绕组(2)上下端部的外表面相匹配。本发明的有益效果是:通过在变压器绕组端部设置磁屏蔽层,使变压器绕组端部的漏磁通密度明显降低,从而大幅减小绕组端部导线的短路发生力,可以提高变压器绕组的抗短路能力,降低变压器的材料成本;可以减小变压器短路阻抗要求值,降低变压器的电压调整率;还可以降低因绕组端部漏磁通引起的绕组最热点温升。

    一种电力变压器绝缘冷却介质渗漏点的封堵方法

    公开(公告)号:CN108612953A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810431205.3

    申请日:2018-05-08

    IPC分类号: F16L55/175

    摘要: 本发明涉及一种电力变压器绝缘冷却介质渗漏点的封堵方法,属于电力变压器维修设备技术领域。技术方案是:包含以下步骤:在变压器泄漏部位设置一个以上注剂孔(3);将注剂旋塞阀(11)安装在所述注剂孔(3)上;关闭注剂旋塞阀后,将注剂输送管的一端安装在注剂旋塞阀上,注剂输送管的另一端安装在注剂枪(7)上;向注剂枪(7)内加入注剂;打开注剂旋塞阀,将注剂枪(7)内的注剂通过注剂孔(3)注入至变压器泄露位置。本发明的有益效果是:适用于油浸变压器和气体绝缘变压器,延长密封效果的持续时间,缩短维修时间,减少维修成本;有效修复变压器密封件,及时修复密封垫密封能力,使得维修周期需要更换密封垫的时间大大加长。

    一种单相高压变磁通调压自耦变压器

    公开(公告)号:CN106504864A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201611087139.X

    申请日:2016-12-01

    IPC分类号: H01F27/24 H01F27/28 H01F29/02

    摘要: 本发明涉及一种单相高压变磁通调压自耦变压器,属于变压器制造技术领域。技术方案是:在铁心心柱(1)上由内向外依次设置串联绕组4)、公共绕组(3)和调压绕组(2),在铁心旁柱5)上由内向外依次设置第三绕组(7)和励磁绕组(6),铁心心柱(1)上的公共绕组(3)、调压绕组2)串联后,与铁心旁柱(5)上的励磁绕组(6)并联;将调压绕组(2)设置在中性点,励磁绕组(6)和电压恒定的公共绕组(3)首端连接,实现高压变磁通调压的同时,第三绕组保持电压恒定。本发明实现了高压变磁通调压的同时,第三绕组可以保持电压恒定。同时,实现了与第三绕组相关绕组对间短路阻抗大于100%,提高了第三绕组的短路耐受能力。

    一种设置偏励磁绕组的有载调压变压器调压结构

    公开(公告)号:CN103730242A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310725035.7

    申请日:2013-12-25

    IPC分类号: H01F29/04 H01F27/28 H01F27/30

    摘要: 本发明涉及一种设置偏励磁绕组的有载调压变压器调压结构,属于变压器制造技术领域。技术方案是:该调压结构除了调压绕组TV外,还在变压器心柱增加了偏励磁绕组PV,偏励磁绕组PV匝数为相当于产生额定级电压Us的匝数;偏励磁绕组PV和调压绕组TV均采用螺旋式结构,各自单独绕制;偏励磁绕组PV分为偏励磁绕组PV1和偏励磁绕组PV2两部分,偏励磁绕组PV1和偏励磁绕组PV2匝数相等,均为偏励磁绕组PV的一半,偏励磁绕组PV1和偏励磁绕组PV2通过引线串联组成偏励磁绕组PV。本发明通过在变压器心柱增加偏励磁绕组,解决了调压级数较多的恒磁通有载调压变压器分接头及分接引线过多的技术难题,提高了变压器的安全可靠性。

    一种SCOTT变压器M变的4U型高压绕组结构

    公开(公告)号:CN116504511A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310691021.1

    申请日:2023-06-12

    摘要: 本发明涉及一种SCOTT变压器M变的4U型高压绕组结构,属于变压器技术领域。技术方案是:将M变的高压绕组分成四个单元,每个单元均为内外两层的U型结构,绕组沿轴向和辐向排列2×2个U型单元,所有单元均在绕组端部出线,引出后再上下左右交叉相连。本发明的积极效果:既实现了阻抗设计的要求,避免了原结构在高压中部需要出线连接的情况,改善了该位置的电场分布,缩小了绝缘距离,还能优化绕组的漏磁分布,减小绕组的短路力,防止绕组局部过热的不良现象;不仅能有效地降低产品的耗材成本,还能提高产品的安全可靠性,提升其性能指标。