公开(公告)号：CN107640763B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201711147438.2

申请日：2017-11-17

申请人： 信阳师范学院

发明人： 孙海斌 ,  高延利 ,  付灿 ,  王其尚 ,  许军旗 ,  马竞瑶 ,  申雨健

IPC分类号： C01B32/186

摘要： 本发明提供一种单层单晶石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将装有铜基催化剂的半封闭石英试管放入管式炉中，装有固体碳源的称量瓶放入管式炉靠近进气口的一端，通入惰性气体；持续通入惰性气体，将铜基催化剂加热升温至600℃～800℃，然后恒温保持30～120min；停止通入惰性气体，开始通入还原性气体，将铜基催化剂加热升温至1000℃～1050℃，然后恒温保持60～120min，迅速降温，即可在铜基催化剂表面得到单层单晶石墨烯。本发明操作方便，简单易行，安全可靠，成本较低，可控性强，用于高端电子器件和集成电路，为实现单层单晶石墨烯的产业化道路提供了一种技术支持。

公开(公告)号：CN107640763A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201711147438.2

申请日：2017-11-17

申请人： 信阳师范学院

发明人： 孙海斌 ,  高延利 ,  付灿 ,  王其尚 ,  许军旗 ,  马竞瑶 ,  申雨健

IPC分类号： C01B32/186

摘要： 本发明提供一种单层单晶石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将装有铜基催化剂的半封闭石英试管放入管式炉中，装有固体碳源的称量瓶放入管式炉靠近进气口的一端，通入惰性气体；持续通入惰性气体，将铜基催化剂加热升温至600℃～800℃，然后恒温保持30～120min；停止通入惰性气体，开始通入还原性气体，将铜基催化剂加热升温至1000℃～1050℃，然后恒温保持60～120min，迅速降温，即可在铜基催化剂表面得到单层单晶石墨烯。本发明操作方便，简单易行，安全可靠，成本较低，可控性强，用于高端电子器件和集成电路，为实现单层单晶石墨烯的产业化道路提供了一种技术支持。