公开(公告)号：CN105102514B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201480013932.8

申请日：2014-02-24

Applicant: 兆科学公司

Inventor： 梁荣昌 ,  曾经仁 ,  T-C·吴 ,  梁家彦 ,  安之瑶 ,  马安妤 ,  M·K·昂

IPC: C08J7/04 ,  H05K3/32 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B3/26 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/205 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/302 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/0235 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/0257 ,  B32B2264/0264 ,  B32B2264/0292 ,  B32B2264/105 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/714 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2413/00 ,  C08J7/04 ,  H05K3/323 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/31942

Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的图像增强层的基底。通过激光烧蚀经过图像增强层，在载体内形成微孔。在去除图像增强层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该图像增强层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。

公开(公告)号：CN105102514A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480013932.8

申请日：2014-02-24

Applicant: 兆科学公司

Inventor： 梁荣昌 ,  曾经仁 ,  T-C·吴 ,  梁家彦 ,  安之瑶 ,  马安妤 ,  M·K·昂

IPC: C08J7/04 ,  H05K3/32 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B3/26 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/205 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/302 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/0235 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/0257 ,  B32B2264/0264 ,  B32B2264/0292 ,  B32B2264/105 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/714 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2413/00 ,  C08J7/04 ,  H05K3/323 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/31942

Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的增强对比层的基底。通过激光烧蚀经过增强对比层，在载体内形成微孔。在去除增强对比层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该增强对比层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。