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1.

发明公开
发光晶粒、封装结构及其相关制造方法无效

公开(公告)号：CN110504344A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201811396713.9

申请日：2018-11-22

申请人： 光磊科技股份有限公司

发明人： 蔡长达 , 吴维哲 , 黄冠凯

IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种发光晶粒、封装结构、及其相关制造方法。该发光晶粒，包括：一基板、一第一型层、一发光层、一第二型层、一第一型电极与一第二型电极。该第一型层包括一第一部分与一第二部分。该第二部分的该第一型层位于该基板的上方，且该第一部分的该第一型层位于该第二部分的该第一型层上方。发光层位于第一部分的该第一型层上方。第二型层位于该发光层上方。第一型电极，接触于第二部分的该第一型层的侧边，且该第一型电极接触于该基板的侧边。第二型电极，接触于该第二型层。