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发明公开
一种MOSFET高温可靠性综合测试装置审中-实审

公开(公告)号：CN114563676A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210190179.6

申请日：2022-02-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 杜泽晨 , 杨霏 , 刘瑞 , 田丽欣 , 张一杰

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对多个MOSFET进行栅偏测试，高温反偏测试平台能同时对多个MOSFET进行反偏测试；电流采集模块采集高温栅偏测试平台的测试电流、高温反偏测试的测试电流，从而实现对多个MOSFET同时进行高温栅偏测试或高温反偏测试，节省了测试时间，提高了测试效率。