一种激光器调谐精度的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111189619B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010027189.9

    申请日:2020-01-10

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本发明公开了一种激光器调谐精度的测量装置及方法,该测量装置包括:待测激光器及测量模块,待测激光器的输出端连接第一耦合器的输入端,第一耦合器的输出端分为两路,第一路通过延时光纤连接第二耦合器的输入端,第二路连接第二耦合器的输入端,第二耦合器的输出端连接探测器的输入端,探测器的输出端连接时频分析模块;待测激光器在离散调谐信号的作用下产生输出信号,输出信号经过所述测量模块得到待测激光器的调谐精度。本发明实施例提供的激光器调谐精度的测量装置可以在外部离散调谐精度的控制下通过延时自相干结构测量得到待测激光器的调谐精度,解决了现有技术中无法实现对单纵模窄线宽激光器的调谐精度的准确测量的技术问题。

    一种模数转换器及模数转换方法

    公开(公告)号:CN111490784B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202010327990.5

    申请日:2020-04-23

    IPC分类号: H03M1/10 H03M1/12

    摘要: 本发明公开了一种模数转换器及模数转换方法,模数转换器包括:残差放大信号生成模块用于将模拟信号转换成第一预设位数的数字信号,并根据模拟信号及第一预设位数的数字信号的预设高位的模拟信号得到残差放大信号;数字信号生成模块将残差放大信号的数字信号及第一预设位数的数字信号的预设低位进行拼接得到第二预设位数的数字信号,第二预设位数大于第一预设位数。本发明将模拟信号对应的数字信号的预设高位转换成对应的数字信号,将模拟信号与数字信号预设高位对应的模拟信号相减,将其差值放大,生成模拟信号的残差放大信号,由残差放大信号及模拟信号对应的数字信号的预设高位拼接成高位数数字信号,从而提高了模数转换的转换精度及分辨率。

    一种模数转换器及模数转换方法

    公开(公告)号:CN111490784A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010327990.5

    申请日:2020-04-23

    IPC分类号: H03M1/10 H03M1/12

    摘要: 本发明公开了一种模数转换器及模数转换方法,模数转换器包括:残差放大信号生成模块用于将模拟信号转换成第一预设位数的数字信号,并根据模拟信号及第一预设位数的数字信号的预设高位的模拟信号得到残差放大信号;数字信号生成模块将残差放大信号的数字信号及第一预设位数的数字信号的预设低位进行拼接得到第二预设位数的数字信号,第二预设位数大于第一预设位数。本发明将模拟信号对应的数字信号的预设高位转换成对应的数字信号,将模拟信号与数字信号预设高位对应的模拟信号相减,将其差值放大,生成模拟信号的残差放大信号,由残差放大信号及模拟信号对应的数字信号的预设高位拼接成高位数数字信号,从而提高了模数转换的转换精度及分辨率。

    一种激光器调谐精度的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111189619A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN202010027189.9

    申请日:2020-01-10

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本发明公开了一种激光器调谐精度的测量装置及方法,该测量装置包括:待测激光器及测量模块,待测激光器的输出端连接第一耦合器的输入端,第一耦合器的输出端分为两路,第一路通过延时光纤连接第二耦合器的输入端,第二路连接第二耦合器的输入端,第二耦合器的输出端连接探测器的输入端,探测器的输出端连接时频分析模块;待测激光器在离散调谐信号的作用下产生输出信号,输出信号经过所述测量模块得到待测激光器的调谐精度。本发明实施例提供的激光器调谐精度的测量装置可以在外部离散调谐精度的控制下通过延时自相干结构测量得到待测激光器的调谐精度,解决了现有技术中无法实现对单纵模窄线宽激光器的调谐精度的准确测量的技术问题。

    一种集成背光探测器的二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244750B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010060361.0

    申请日:2020-01-19

    IPC分类号: H01S5/026

    摘要: 本发明公开了一种集成背光探测器的二极管及其制备方法,该方法包括:在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导;在半导体外延片正面的第一区域形成电隔离,得到吸收区;在半导体外延片正面的第二区域和第三区域形成第一电极,第二区域位于吸收区的一侧,第三区域位于吸收区的另一侧或吸收区的内部;在半导体外延片的背面形成第二电极,得到集成背光探测器的二极管。通过实施本发明,在半导体外延片上形成光波导结构,并采用电隔离的方式形成吸收区,从而可以使得吸收区两侧的区域形成发光区和探测区,进而实现器件发光功率的监测和控制。同时无需再次外延探测器材料,制作工艺简单,探测效率高,能够有效降低超辐射发光二极管发光功率监测成本。

    一种分布式光纤多参量传感装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111486881A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010327252.0

    申请日:2020-04-23

    IPC分类号: G01D5/353

    摘要: 本发明公开了一种分布式光纤多参量传感装置,包括:光路单元、调制单元、相干检测单元、瑞利解调单元及布里渊解调单元,光路单元用于产生并输出探测光信号和本振光信号;调制单元用于接收探测光信号调制生成脉冲光输出至待测光纤中得到背向反射信号;相干检测单元将本振光信号和背向反射信号进行混频,得到光外差电信号;瑞利解调单元接收光外差电信号滤波得到瑞利散射信号,根据瑞利散射信号解调得到光纤沿线的反射、衰减及振动信息;布里渊解调单元接收光外差电信号滤波得到布里渊散射信号,根据布里渊散射信号解调得到待测光纤的应力和温度信息。通过实施本发明,可以实现包括光纤反射、衰减、振动、温度及应力等物理量在内的多参量融合传感。

    一种集成背光探测器的二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244750A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010060361.0

    申请日:2020-01-19

    IPC分类号: H01S5/026

    摘要: 本发明公开了一种集成背光探测器的二极管及其制备方法,该方法包括:在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导;在半导体外延片正面的第一区域形成电隔离,得到吸收区;在半导体外延片正面的第二区域和第三区域形成第一电极,第二区域位于吸收区的一侧,第三区域位于吸收区的另一侧或吸收区的内部;在半导体外延片的背面形成第二电极,得到集成背光探测器的二极管。通过实施本发明,在半导体外延片上形成光波导结构,并采用电隔离的方式形成吸收区,从而可以使得吸收区两侧的区域形成发光区和探测区,进而实现器件发光功率的监测和控制。同时无需再次外延探测器材料,制作工艺简单,探测效率高,能够有效降低超辐射发光二极管发光功率监测成本。