公开(公告)号：CN113948588B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202111391159.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 汤亮亮 ,  徐伟辉 ,  邵剑雄 ,  刘永辉 ,  袁承洋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H02S10/30

Abstract: 本发明涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池的制备方法，属于热光伏电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将P型GaSb晶片清洗干燥；S2、在P型GaSb晶片正面进行纹理刻蚀，并制备Si3N4或Ta2O5减反膜；S3、在P型GaSb晶片的背面抛光后制备SiO2或TiO2钝化层，然后定义出N+型区域，去除钝化层，通过热扩散硒形成N+型扩散层；S4、在P型GaSb晶片的背面补充沉积钝化层，然后定义出P+型区域，去除钝化层，通过热扩散锌形成P+型扩散层；S5、再次在P型GaSb晶片的背部补充沉积钝化层，然后定义出负电极区域和正电极区域，去除钝化层，制备负电极和正电极。本发明将IBC结构与GaSb热光伏电池结合，制备过程可靠有效，显著提高了GaSb热光伏电池的内外量子效率和输出功率密度。

公开(公告)号：CN113948588A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111391159.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 汤亮亮 ,  徐伟辉 ,  邵剑雄 ,  刘永辉 ,  袁承洋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H02S10/30

Abstract: 本发明涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池的制备方法，属于热光伏电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将P型GaSb晶片清洗干燥；S2、在P型GaSb晶片正面进行纹理刻蚀，并制备Si3N4或Ta2O5减反膜；S3、在P型GaSb晶片的背面抛光后制备SiO2或TiO2钝化层，然后定义出N+型区域，去除钝化层，通过热扩散硒形成N+型扩散层；S4、在P型GaSb晶片的背面补充沉积钝化层，然后定义出P+型区域，去除钝化层，通过热扩散锌形成P+型扩散层；S5、再次在P型GaSb晶片的背部补充沉积钝化层，然后定义出负电极区域和正电极区域，去除钝化层，制备负电极和正电极。本发明将IBC结构与GaSb热光伏电池结合，制备过程可靠有效，显著提高了GaSb热光伏电池的内外量子效率和输出功率密度。

公开(公告)号：CN216120312U

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202122874528.X

申请日：2021-11-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 汤亮亮 ,  徐伟辉 ,  邵剑雄 ,  刘永辉 ,  袁承洋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H02S10/30

Abstract: 本实用新型涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池，属于热光伏电池技术领域，所述IBC结构锑化镓热光伏电池包括P型GaSb衬底和与P型GaSb衬底的背面接触的正负电极，所述P型GaSb衬底正面具有绒面结构且覆盖有Si3N4减反膜，所述P型GaSb衬底的背部通过热扩散形成有P+型扩散层和N+型扩散层。本实用新型将IBC结构与GaSb热光伏电池结合，并通过优化电池的结构显著提高了GaSb热光伏电池的内外量子效率和输出功率密度。