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公开(公告)号：CN117717714A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311002822.9
申请日：2023-08-10
申请人： 内江师范学院 , 电子科技大学 , 四川博康达智能电子系统有限公司
IPC分类号： A61N2/04
摘要： 本发明公开一种基于数字孪生脑的非线性多自由态精准磁刺激辅助系统，应用于生物医学工程领域，针对现有技术难以实现目标靶向的精准刺激的问题；本发明利用个性化数字孪生脑模型作为数据产生平台，搭建了一个用于分析电磁信号在颅内传递机制的深度学习模型；通过非线性深度学习模型构建了精准磁刺激辅助系统；通过精准磁刺激辅助系统，结合TMS刺激参数+刺激线圈控制台机械参数有效实现正向刺激靶向快速反演模型的构建，通过精准磁刺激辅助系统，结合目标靶点参数有效实现刺激准则规划逆向推演模型的构建，从而实现目标靶向的精准刺激。
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公开(公告)号：CN115253072A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210746805.5
申请日：2022-06-29
申请人： 内江师范学院 , 电子科技大学 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本发明公开一种多模式深脑电刺激精准神经调控系统及方法，应用于电子信息技术领域，为解决现有技术对于神经调控的精确度较低的问题；本发明采用电刺激+脑电采集+滤波器处理同步工作模式、脑电采集/电刺激+滤波器处理异步工作模式，这两种刺激反馈检测模式，使得用于制定决策的脑电采集终端在整个刺激过程都参与到工作；从而实现了系统的自适应监测与刺激调节，保证了刺激功能的有效性与准确性。
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公开(公告)号：CN115098714A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210808051.1
申请日：2022-07-11
申请人： 内江师范学院 , 电子科技大学 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本发明公开一种具有个体本征结构特性的数字孪生脑投射方法，应用于生物医学工程领域。针对现有的数字脑无法体现待分析用户个体的个体本征特性的问题；本发明采用与正常人体最接近的死亡时间小于2小时，且头部组织未发生病变及损伤的新鲜尸体；构建头部脑体素多模态影像数据集与人体头部组织投射数据集；然后采集正常人体的头部脑体素多模态影像数据，基于建立的投射数据索引数据集，自动建立完成该正常人体的脑部组织映射函数，实现个体本征脑体素分割与定义；然后利用云点重建技术实现个体本征脑的重建，从而系统完成具有个体本征特性的数字孪生脑投射。
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公开(公告)号：CN111559734B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010431407.5
申请日：2020-05-20
申请人： 内江师范学院 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。
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公开(公告)号：CN117019606A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311003564.6
申请日：2023-08-10
申请人： 内江师范学院 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本发明公开一种自聚焦电容性微机械超声传感器器件及制备方法，应用于电容性微机械超声传感器(CMUT)领域，针对现有超声聚焦技术存在外围电路复杂、聚焦焦点不可调的问题；本发明通过在阵元中的一个或者多个CMUT单元增加控制部件，通过这些控制部件控制单个或者多个CMUT单元或者阵元中的CMUT薄膜转动合适的方向，进行聚焦控制；本发明的器件不需要复杂外围电路；并且聚焦的焦点可调。
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公开(公告)号：CN117000571A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311139615.8
申请日：2023-09-05
申请人： 内江师范学院 , 四川博康达智能电子系统有限公司
IPC分类号： B06B1/02
摘要： 本发明公开了一种透光微机电超声换能器及其制备方法，涉及超声换能器领域，方法主要包括在透光基底上沉积公共底电极；在公共底电极上旋涂光敏聚合物并曝光显影，形成具有空腔结构和支撑结构的光敏聚合物透光基底晶圆；使用键合机，利用晶圆黏附层键合技术，将光敏聚合物透光基底晶圆与正反面均沉积有低应力氮化硅薄膜的硅晶圆键合固化，得到键合固化晶圆；使用干湿刻蚀方法去除位于键合固化晶圆外表面的低应力氮化硅薄膜及硅晶圆，保留位于键合固化晶圆内部的低应力氮化硅薄膜，并在保留的薄膜上沉积公共顶电极和金属层，以使得到的金属导线贯穿公共顶电极。本发明具有可透光、不会阻挡光路的优点，同时具备较大的相对带宽。
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公开(公告)号：CN111559734A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010431407.5
申请日：2020-05-20
申请人： 内江师范学院 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。
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公开(公告)号：CN218546998U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222948428.1
申请日：2022-11-04
申请人： 内江师范学院 , 四川博康达智能电子系统有限公司
摘要： 本实用新型公开一种脉冲‑回波法超声检测及包络提取电路，应用于超声换能器回波检测领域，针对现有的检测设备成本高、体积大的问题，本实用新型采用集成电路芯片进行设计，具体采用芯片NE555P产生重复脉冲控制信号，采用芯片MAX4429放大驱动电流，驱动功率MOSFET管及相关电路实现重复负极性高压发射脉冲输出，采用芯片AD604实现超声回波信号低噪声放大与增益调节，采用芯片AD8045实现超声回波的噪声滤除，采用芯片AD8039实现超声回波信号的包络提取，采用集成电路芯片LM1117‑5V实现+5V电压输出，LM1117‑2.5V实现+2.5V电压输出，MAX861实现‑5V电压输出。
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公开(公告)号：CN113671430B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110886221.3
申请日：2021-08-03
摘要： 本发明公开一种提升信号动态范围的磁共振接收方法，应用于电子信息技术领域，针对现有技术存在的信号失真以及动态范围不理想的问题，本发明通过传统接收装置内部集成的自动增益控制的功能，简化了软件控制流程；并在接收装置数字域对ADC输出的数字信号进行增益补偿，相位补偿以及直流偏直补偿；实现了对幅值较小的信号进行更大的接收增益，对幅值较大的信号进行较小的接收增益的技术效果，并提高了磁共振接收信号的动态范围。
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公开(公告)号：CN111695273A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010757392.1
申请日：2020-07-31
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开一种磁共振扫描序列仿真平台，应用于电子信息技术领域，为了解决现有技术中缺乏一种能够从序列设计界面观察到所设计的扫描序列,使得序列设计者不需要借助磁共振成像系统的磁共振扫描序列仿真平台；本发明提供的仿真平台通过序列计算机和主控设备实现；主控设备完全在数字逻辑芯片完成产生数字的射频脉冲波形数据和实际的梯度波形数据，然后通过数字的采集模块，分别将发射脉冲波形数据和实际的梯度波形数据采集并上传至序列计算机进行观测；本发明可以实现序列设计者通过仿真平台的仿真结果明确判断设计的扫描序列是否跟预期一致；方便及时纠正设计错误。
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