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公开(公告)号：CN116949558B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311202056.0
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下分轴，与上分轴可活动连接；及形变动力件，设于上分轴与下分轴之间，具有伸展推动下分轴相对上分轴移动的触发状态。本发明的优点在于：当需要引晶时，保持上分轴静止，同时形变动力件进入触发状态，形变动力件发生伸展从而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤。在该过程中，形变动力件的伸展和下分轴的移动均不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内温度较低的气体进入蓝宝石晶体生长炉的炉室内而影响炉室内的热场分布，避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。
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公开(公告)号：CN117512778A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410003423.2
申请日：2024-01-02
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种保温结构的异常监测方法，该保温结构的异常监测方法，保温结构包括气体循环装置、内保温体和套设于内保温体的外保温体，内保温体具有容纳坩埚和加热装置的保温腔；内保温体与外保温体之间设有空腔，气体循环装置连通空腔；内保温体和外保温体中的至少一者由碳毡制成，包括如下步骤：a.使保温结构内的温度维持在T并设定气体循环装置的功率为P1，实时检测空腔内的气压p；b.判断p是否在范围p1至p2内，其中，范围p1至p2为：在保温结构内的温度为T且气体循环装置的功率为P1的状态下，气压检测位置处的正常气压波动范围；c.若p＜p1或p＞p2，则判定保温结构异常。该方法能够监测保温结构是否存在异常。
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公开(公告)号：CN117488402A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202410003359.8
申请日：2024-01-02
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉的温度调控方法，该方法应用于晶体生长炉，晶体生长炉包括坩埚、加热装置和保温结构，保温结构包括进气装置、抽气装置、内保温体和套设于内保温体的外保温体，内保温体与外保温体之间设有空腔，进气装置和抽气装置均与空腔连通，包括步骤：a.启动加热装置，并设定加热功率为P1，用温度传感器实时检测保温结构内的温度t；b.当t升高至T1时，使空腔内的气体处于第二流速，其中，2040℃≤T1≤2060℃；c.当t升高至T2时，将加热装置的加热功率降低至P2，直至t继续升高至T‑ΔT≤t≤T，其中，2080℃≤T2≤2090℃，T为目标温度2100℃，ΔT=5℃。该方法有利于防止加热装置产生的滞后的余热导致目标位置处的温度超过允许偏差。
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公开(公告)号：CN116926660B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311202064.5
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：坩埚；蓝宝石提拉轴；保温结构，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，由氧化铝制成，具有第一状态和第二状态，在第一状态下，密封件连接于顶壁且密封升降通道；在第二状态下，蓝宝石提拉轴移动并抵压密封件以使密封件脱离顶壁。本发明的优点在于：在煮料阶段，可以通过处于第一状态的密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温结构的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。
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公开(公告)号：CN116949563A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311209641.3
申请日：2023-09-19
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种保温结构及蓝宝石晶体生长炉，该保温结构包括：保温层，容纳坩埚，具有顶壁，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设和水平移动的第二横移通道；及保温板，连接于顶壁，保温板能够在蓝宝石提拉轴水平移动的过程中至少部分地盖住第二横移通道。通过设置第二横移通道，可以允许蓝宝石提拉轴水平移动以调整蓝宝石提拉轴偏离坩埚轴线的距离，从而使籽晶在适当位置进行偏心引晶以生长不同规格的晶体。保温板能够在蓝宝石提拉轴水平移动的过程中始终至少部分地盖住所述第二横移通道，这能减小保温层与外界之间的连通口的大小，从而降低保温层内的热气通过第二横移通道逸出和外界温度较低的气体通过第二横移通道进入保温层内的程度。
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公开(公告)号：CN116949562A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311209618.4
申请日：2023-09-19
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，包括：炉体，具有炉盖，炉盖设有第一横移通道；保温结构，包括保温层和保温板；保温层具有顶壁，顶壁设有第二横移通道，第二横移通道和第一横移通道沿同一水平方向延伸；保温板转动连接于顶壁且设有避让通道；坩埚，具有长晶区；投料管，穿设于炉盖和顶壁，投料管的轴线位于长晶区外；蓝宝石提拉轴，能沿第一横移通道水平移动并推动保温板转动，避让通道和第二横移通道在水平面内的正投影始终只有部分重叠且重叠部分覆盖蓝宝石提拉轴在水平面内的正投影。本发明可以通过投料通道补充氧化铝原料以长出更大尺寸的蓝宝石晶体，并能偏心引晶，提高晶体的生长质量。保温板能够提高保温结构的保温性能。
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公开(公告)号：CN116949557A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311202055.6
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种保温结构及蓝宝石晶体生长炉，该保温结构包括：保温层，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，连接于顶壁且密封升降通道，包括易熔部和连接易熔部的密封本体，易熔部由助剂制成，密封本体由助剂和/或氧化铝制成，密封本体通过易熔部与顶壁连接。本发明的优点在于：在煮料阶段的前一段时间内，具体是在密封件处的温度上升至易熔部的熔点之前的一段时间内，可以通过密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温层的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。
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公开(公告)号：CN116926660A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311202064.5
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：坩埚；蓝宝石提拉轴；保温结构，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，由氧化铝制成，具有第一状态和第二状态，在第一状态下，密封件连接于顶壁且密封升降通道；在第二状态下，蓝宝石提拉轴移动并抵压密封件以使密封件脱离顶壁。本发明的优点在于：在煮料阶段，可以通过处于第一状态的密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温结构的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。
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公开(公告)号：CN116411338A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310684672.8
申请日：2023-06-12
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生产蓝宝石单晶的煮料工艺，属于蓝宝石单晶煮料技术领域，首先向设备中充入惰性气体，加热器工作，加热器功率升高至P1以融化原料，坩埚轴的水流量V1，在坩埚内原料出现融化塌料后，加热器的功率升高到P2，坩埚轴的水流量升高到V2，在坩埚内原料完全融化后进行排杂处理，加热器功率维持在P3，坩埚轴的水流量维持在V3，在排杂处理之后，降低加热器功率并维持在P4以稳定设备内温度，且坩埚轴的水流量提高至V4，并且一段时间后，坩埚轴的水流量降低至V5，其中，P1≤P2＜P3，且P3＞P4；V1≤V2≤V3＜V4，且V4＞V5，V5≤V2。通过充气和加大水流量操作，以此加强加快排杂作业。
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公开(公告)号：CN117867645A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311699858.7
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下分轴，与上分轴可活动连接；及形变动力件，设于上分轴与下分轴之间，具有伸展推动下分轴相对上分轴移动的触发状态。本发明的优点在于：当需要引晶时，保持上分轴静止，同时形变动力件进入触发状态，形变动力件发生伸展从而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤。在该过程中，形变动力件的伸展和下分轴的移动均不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内温度较低的气体进入蓝宝石晶体生长炉的炉室内而影响炉室内的热场分布，避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。
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