公开(公告)号：CN118880241A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411008221.3

申请日：2024-07-25

申请人： 凯盛科技股份有限公司

发明人： 张少波 ,  刘月豹 ,  王齐齐 ,  王进 ,  翟祖源 ,  罗丹

IPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G02B1/12 ,  G02B1/115

摘要： 本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种AR镀膜产品及其制备方法。本发明提供的AR镀膜产品的制备方法，包括以下步骤：将基体进行氩气清洗后于其任一表面溅镀若干层二氧化硅层和折射层，得到初级AR镀膜产品；所述二氧化硅层的层数比折射层的层数多一层；任一膜层溅镀完成后进行氩离子源轰击清洗；对所述初级AR镀膜产品的二氧化硅层表面进行氮离子源轰击修补后蒸镀AF药液，得到所述AR镀膜产品。在镀膜过程中对各个膜层表面均进行氩离子源轰击清洗，增强了各膜层间的附着力及致密性；对初级AR镀膜产品的二氧化硅层表面进行氮离子源轰击修补能够提高膜层表面的细腻度和平整度；从而提高镀膜的耐磨性能保证AR镀膜产品的使用效果。