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公开(公告)号:CN105793644B
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201580002854.6
申请日:2015-07-16
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: F21S2/00 , B32B9/00 , B32B27/36 , F21Y115/10
CPC classification number: G02B6/005 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2264/0214 , B32B2264/0257 , B32B2264/04 , B32B2264/10 , B32B2307/412 , B32B2307/414 , B32B2307/416 , B32B2307/418 , B32B2307/422 , B32B2307/7242 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , B32B2571/00 , G02B1/14 , G02B5/02
Abstract: 第1量子点保护膜具备含有二氧化硅蒸镀层的第1阻隔膜和第1扩散层。二氧化硅蒸镀层的氧与硅的O/Si比以原子比计为1.7以上且2.0以下,二氧化硅蒸镀层的折射率为1.5以上且1.7以下,在波长450nm、波长540nm及波长620nm的所有波长下的第1量子点保护膜的反射率为10%以上且20%以下,并且透射率为80%以上且95%以下。
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公开(公告)号:CN107817540B
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:CN201711283446.X
申请日:2015-07-16
Applicant: 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明为一种波长转换片材用保护膜,其为用于保护波长转换片材中的荧光体的波长转换片材用保护膜,其具有层叠了2张以上阻隔膜的结构,所述阻隔膜具有基材和设置在该基材的至少一个面上的1个以上的阻隔层。
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公开(公告)号:CN107817540A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201711283446.X
申请日:2015-07-16
Applicant: 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明为一种波长转换片材用保护膜,其为用于保护波长转换片材中的荧光体的波长转换片材用保护膜,其具有层叠了2张以上阻隔膜的结构,所述阻隔膜具有基材和设置在该基材的至少一个面上的1个以上的阻隔层。
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公开(公告)号:CN105793644A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201580002854.6
申请日:2015-07-16
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: F21S2/00 , B32B9/00 , B32B27/36 , F21Y115/10
CPC classification number: G02B6/005 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2264/0214 , B32B2264/0257 , B32B2264/04 , B32B2264/10 , B32B2307/412 , B32B2307/414 , B32B2307/416 , B32B2307/418 , B32B2307/422 , B32B2307/7242 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , B32B2571/00 , G02B1/14 , G02B5/02
Abstract: 第1量子点保护膜具备含有二氧化硅蒸镀层的第1阻隔膜和第1扩散层。二氧化硅蒸镀层的氧与硅的O/Si比以原子比计为1.7以上且2.0以下,二氧化硅蒸镀层的折射率为1.5以上且1.7以下,在波长450nm、波长540nm及波长620nm的所有波长下的第1量子点保护膜的反射率为10%以上且20%以下,并且透射率为80%以上且95%以下。
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