公开(公告)号：CN107933137B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201711308512.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大川美保子 ,  落合英树 ,  市川浩二 ,  小手川雄树

IPC: B42D25/30 ,  B42D25/40 ,  G02B5/30

Abstract: 防伪介质具有记录介质和在记录介质上的一部分处配置的偏光面层。在偏光面层上利用低消光比区域而形成图像，该低消光比区域是与偏光面层中的除了低消光比区域以外的部分相比，偏光面的消光比低的区域。在记录介质上利用记录介质的一部分而形成图像，该记录介质的一部分是与记录介质中的除了一部分以外的部分性质不同的部分。

公开(公告)号：CN105682934B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201580002372.0

申请日：2015-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大川美保子 ,  落合英树 ,  市川浩二 ,  小手川雄树

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02B5/02 ,  G02B5/32 ,  B42D25/40

CPC classification number: B42D25/364 ,  B41M3/14 ,  B42D25/21 ,  B42D25/23 ,  B42D25/24 ,  B42D25/29 ,  B42D25/36 ,  B42D25/378 ,  B42D25/382 ,  B42D25/387 ,  B42D25/391 ,  B42D25/41 ,  B42D25/47 ,  G02B5/3016 ,  G02B5/3033

Abstract: 防伪介质具有记录介质和在记录介质上的一部分处配置的偏光面层。在偏光面层上利用低消光比区域而形成图像，该低消光比区域是与偏光面层中的除了低消光比区域以外的部分相比，偏光面的消光比低的区域。在记录介质上利用记录介质的一部分而形成图像，该记录介质的一部分是与记录介质中的除了一部分以外的部分性质不同的部分。

公开(公告)号：CN107933137A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711308512.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大川美保子 ,  落合英树 ,  市川浩二 ,  小手川雄树

IPC: B42D25/30 ,  B42D25/40 ,  G02B5/30

Abstract: 防伪介质具有记录介质和在记录介质上的一部分处配置的偏光面层。在偏光面层上利用低消光比区域而形成图像，该低消光比区域是与偏光面层中的除了低消光比区域以外的部分相比，偏光面的消光比低的区域。在记录介质上利用记录介质的一部分而形成图像，该记录介质的一部分是与记录介质中的除了一部分以外的部分性质不同的部分。

公开(公告)号：CN105682934A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201580002372.0

申请日：2015-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大川美保子 ,  落合英树 ,  市川浩二 ,  小手川雄树

IPC: B42D25/364 ,  B41M5/26 ,  B42D25/40 ,  B42D25/41 ,  G02B5/30

CPC classification number: B42D25/364 ,  B41M3/14 ,  B42D25/21 ,  B42D25/23 ,  B42D25/24 ,  B42D25/29 ,  B42D25/36 ,  B42D25/378 ,  B42D25/382 ,  B42D25/387 ,  B42D25/391 ,  B42D25/41 ,  B42D25/47 ,  G02B5/3016 ,  G02B5/3033

Abstract: 防伪介质具有记录介质和在记录介质上的一部分处配置的偏光面层。在偏光面层上利用低消光比区域而形成图像，该低消光比区域是与偏光面层中的除了低消光比区域以外的部分相比，偏光面的消光比低的区域。在记录介质上利用记录介质的一部分而形成图像，该记录介质的一部分是与记录介质中的除了一部分以外的部分性质不同的部分。