公开(公告)号：CN1376326A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN00813401.4

申请日：2000-09-28

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 托马斯·戈登·贝克·梅森 ,  格雷戈里·A·菲施 ,  丹尼尔·J·布卢门塔尔

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02F2/004 ,  G02F2002/006 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/5018 ,  H01S5/5054

摘要： 一个半导体可调谐激光器(10)和耦合在该可调谐激光器(10)上的一个干涉仪(12)单片制造在一个半导体异质结构内。该激光器也包括一个嵌入式脊条纹波导激光器。该干涉仪(12)在每一个支路内都耦合有一个半导体光学放大器(38)。一个交叉增益半导体光学放大转换器耦合至该干涉仪(12)上。耦合至每一个支路上的该半导体光学放大器(38)被偏置,从而使该两个支路之间的光路长度差是反相的,以消除相消干扰。该可调谐激光器(10)的输出端耦合在一个耦合器上。一个半导体光学放大器(38)被用来作为干涉仪(12)中半导体光学放大器的一种增益控制器,以允许输入信号功率在更宽范围内进行波长转换。该异质结构衬底包括一个窄带隙波导层和位于该窄带隙波导层之上的更薄多量子阱有源部分。该异质结构衬底具有非吸收性无源元件,其通过选择性的在该波导层上移除该量子阱层区域以在其中形成,以允许在该波导层中形成有源部分和无源部分,而不需进行对接接头再生。本发明其特征也在于在异质结构衬底中制造一种如上披露的集成光学器件的方法。