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公开(公告)号：CN110300727A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880006341.6
申请日：2018-01-04
申请人： 加拿大国家研究委员会
发明人： 李兆 , 丁建夫 , 帕特里克·罗兰·吕西安·马朗方
IPC分类号： C01B32/17 , B01D11/04 , B01J19/12 , C01B32/159 , C08J11/10 , G01N27/00 , G01N37/00 , H01L21/20 , H01L29/16 , H01L49/02 , C08G73/06
摘要： 一种纯化用共轭聚合物萃取的半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)的方法，该方法包括在经处理的sc-SWCNT分散体中使共轭聚合物与s-四嗪类聚合物进行交换，所述经处理的sc-SWCNT分散体包含与sc-SWCNT结合的共轭聚合物。该方法可以用于薄膜晶体管和化学传感器的制造。此外，本文公开了s-四嗪类聚合物用于纯化半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)的用途。
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公开(公告)号：CN108603045A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081499.0
申请日：2016-04-19
申请人： 加拿大国家研究委员会
摘要： 单壁碳纳米管组合物包括基本上富集半导体性单壁碳纳米管的单壁碳纳米管，该半导体性单壁碳纳米管与具有一个或多个寡聚醚侧基的聚合物缔合。寡聚醚侧基使组合物可分散在极性有机溶剂例如烷基卡必醇中，允许配制含有基本上富集半导体性单壁碳纳米管的单壁碳纳米管的油墨组合物。这种油墨组合物可以使用普通印刷方法容易地印刷，诸如喷墨、柔版印刷和凹版印刷。
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公开(公告)号：CN110300727B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201880006341.6
申请日：2018-01-04
申请人： 加拿大国家研究委员会
发明人： 李兆 , 丁建夫 , 帕特里克·罗兰·吕西安·马朗方
IPC分类号： C01B32/17 , B01D11/04 , B01J19/12 , C01B32/159 , C08J11/10 , G01N27/00 , G01N37/00 , H01L21/20 , H01L29/16 , H10N97/00 , C08G73/06
摘要： 一种纯化用共轭聚合物萃取的半导体单壁碳纳米管(sc‑SWCNT)的方法，该方法包括在经处理的sc‑SWCNT分散体中使共轭聚合物与s‑四嗪类聚合物进行交换，所述经处理的sc‑SWCNT分散体包含与sc‑SWCNT结合的共轭聚合物。该方法可以用于薄膜晶体管和化学传感器的制造。此外，本文公开了s‑四嗪类聚合物用于纯化半导体单壁碳纳米管(sc‑SWCNT)的用途。
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公开(公告)号：CN112789331B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980064477.7
申请日：2019-08-02
申请人： 加拿大国家研究委员会
摘要： 提供了可以使用广谱紫外光处理(例如干燥或固化)和烧结的可印刷分子油墨，以在低温基底例如PET上产生导电迹线。该油墨包括羧酸银或羧酸铜、有机胺化合物，并且可以包括热保护剂。
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公开(公告)号：CN112789331A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064477.7
申请日：2019-08-02
申请人： 加拿大国家研究委员会
摘要： 提供了可以使用广谱紫外光处理(例如干燥或固化)和烧结的可印刷分子油墨，以在低温基底例如PET上产生导电迹线。该油墨包括羧酸银或羧酸铜、有机胺化合物，并且可以包括热保护剂。
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公开(公告)号：CN108603045B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201680081499.0
申请日：2016-04-19
申请人： 加拿大国家研究委员会
摘要： 单壁碳纳米管组合物包括基本上富集半导体性单壁碳纳米管的单壁碳纳米管，该半导体性单壁碳纳米管与具有一个或多个寡聚醚侧基的聚合物缔合。寡聚醚侧基使组合物可分散在极性有机溶剂例如烷基卡必醇中，允许配制含有基本上富集半导体性单壁碳纳米管的单壁碳纳米管的油墨组合物。这种油墨组合物可以使用普通印刷方法容易地印刷，诸如喷墨、柔版印刷和凹版印刷。
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公开(公告)号：CN105611986B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201480055827.0
申请日：2014-08-18
申请人： 加拿大国家研究委员会
CPC分类号： C01B32/166 , B01D11/0257 , B01D11/0265 , B01D11/0288 , B01D21/262 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/159 , C01B32/172 , C01B32/174
摘要： 一种两步sc‑SWCNT富集方法涉及基于使用共轭聚合物对半导体SWCNT进行选择性分散和提取的第一步骤，继而是基于吸附过程的第二步骤，其中使所述第一步骤的产物暴露于无机吸收介质以主要选择性地结合金属SWCNT，以使得仍分散在溶液中之物进一步富集半导体SWCNT。所述方法可容易按比例缩放用于具有在例如约0.6nm至2.2nm范围的平均直径的大直径半导体单壁碳纳米管(sc‑SWCNT)的富集。所述第一步骤以高产率产生具有中等sc纯度(98％)的富集的sc‑SWCNT分散液，或以低产率产生具有高纯度(99％和更高)的富集的sc‑SWCNT分散液。所述第二步骤不仅可以提高所述具有中等纯度的由聚合物富集的sc‑SWCNT的纯度，而且还可以将所述高度纯化的样品进一步提升到超纯的水平。因此，这种两步混合方法提供了具有超高纯度的sc‑SWCNT材料以及高sc纯度(例如大于99％)和高产率(高达约20％或更高)这两者。
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公开(公告)号：CN105611986A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055827.0
申请日：2014-08-18
申请人： 加拿大国家研究委员会
CPC分类号： C01B32/166 , B01D11/0257 , B01D11/0265 , B01D11/0288 , B01D21/262 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/159 , C01B32/172 , C01B32/174
摘要： 一种两步sc-SWCNT富集方法涉及基于使用共轭聚合物对半导体SWCNT进行选择性分散和提取的第一步骤，继而是基于吸附过程的第二步骤，其中使所述第一步骤的产物暴露于无机吸收介质以主要选择性地结合金属SWCNT，以使得仍分散在溶液中之物进一步富集半导体SWCNT。所述方法可容易按比例缩放用于具有在例如约0.6nm至2.2nm范围的平均直径的大直径半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)的富集。所述第一步骤以高产率产生具有中等sc纯度(98％)的富集的sc-SWCNT分散液，或以低产率产生具有高纯度(99％和更高)的富集的sc-SWCNT分散液。所述第二步骤不仅可以提高所述具有中等纯度的由聚合物富集的sc-SWCNT的纯度，而且还可以将所述高度纯化的样品进一步提升到超纯的水平。因此，这种两步混合方法提供了具有超高纯度的sc-SWCNT材料以及高sc纯度(例如大于99％)和高产率(高达约20％或更高)这两者。
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