一种评估半导电屏蔽材料发射性能的测试装置及评估方法

    公开(公告)号:CN109991522A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910292465.1

    申请日:2019-04-12

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及到一种评估半导电屏蔽材料发射性能的测试装置,包括真空控制系统、性能测试系统,其中,性能测试系统包括测试室、测试样品、载物台、阳极、电流表、保护电阻、高压直流电源,所述测试样品固定在载物台上作为阴极,阳极接高压直流电源的正极端,测试样品接高压直流电源的阴极端,高压直流电源的阴极端接地,保护电阻和电流表串联在电路中,所述阳极、阴极均位于测试室中,所述真空控制系统控制测试室为真空状态。本装置能够在高电场下直接测试半导电屏蔽材料的载流子发射情况,进而表征用作高压直流电缆的半导电屏蔽材料对于绝缘层电荷注入性能的优劣,对于研制高压直流输电电缆具有重要意义。

    一种评估半导体屏蔽材料发射性能的测试装置

    公开(公告)号:CN210222187U

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201920491496.5

    申请日:2019-04-12

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本实用新型涉及到一种评估半导体屏蔽材料发射性能的测试装置,包括真空控制系统、性能测试系统,其中,性能测试系统包括测试室、测试样品、载物台、阳极、电流表、保护电阻、高压直流电源,所述测试样品固定在载物台上作为阴极,阳极接高压直流电源的正极端,测试样品接高压直流电源的阴极端,高压直流电源的阴极端接地,保护电阻和电流表串联在电路中,所述阳极、阴极均位于测试室中,所述真空控制系统控制测试室为真空状态。本装置能够在高电场下直接测试半导电屏蔽材料的载流子发射情况,进而表征用作高压直流电缆的半导电屏蔽材料对于绝缘层电荷注入性能的优劣,对于研制高压直流输电电缆具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利