Patent search ap:("北京交通大学") AND inv:"刘玉婷" Page 1

1.

发明公开
基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路有权

公开(公告)号：CN112946447A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110043527.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 , 刘玉婷 , 邵天骢 , 张波 , 郑琼林

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路，涉及电力电子技术领域，包括：电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极；积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接，积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接；电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地，积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接，比较器的同相输入端与参考电压连接。由此，可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号，且母线电压越大时短路保护动作越迅速，能够提高电力电子系统的可靠性。

Patent Agency Ranking