公开(公告)号：CN103578935A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310586058.4

申请日：2013-11-20

申请人： 北京大学

发明人： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  刘世韬 ,  陈广 ,  吴洁君 ,  许福军 ,  张国义

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205

摘要： 本发明公开了一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法。本发明的生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法根据三元半导体合金的各原子的组分确定最佳生长温度以及各原子的原子束流，从而控制三元半导体合金的生长，得到了晶体质量良好、表面平整的全组分三元半导体合金，具有低的背景电子浓度和高的电子迁移率，室温下具有强烈的带边发光。本发明快速确定任意组分三元半导体合金的最佳生长条件，从而实现全组分生长；确保采用最高的生长温度生长，并且富金属生长条件形成表面活性剂，增强原子迁移能力；生长温度和相应的原子束流条件准确控制三元半导体合金的组分。

公开(公告)号：CN103578935B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310586058.4

申请日：2013-11-20

申请人： 北京大学

发明人： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  刘世韬 ,  陈广 ,  吴洁君 ,  许福军 ,  张国义

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205

摘要： 本发明公开了一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法。本发明的生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法根据三元半导体合金的各原子的组分确定最佳生长温度以及各原子的原子束流，从而控制三元半导体合金的生长，得到了晶体质量良好、表面平整的全组分三元半导体合金，具有低的背景电子浓度和高的电子迁移率，室温下具有强烈的带边发光。本发明快速确定任意组分三元半导体合金的最佳生长条件，从而实现全组分生长；确保采用最高的生长温度生长，并且富金属生长条件形成表面活性剂，增强原子迁移能力；生长温度和相应的原子束流条件准确控制三元半导体合金的组分。