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公开(公告)号：CN105511120A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610036914.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
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公开(公告)号：CN103884450A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410103121.9
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，具体为一种光电温度传感器。本发明要解决的技术问题是：降低光电温度传感器对光源的要求从而降低整个温度传感系统的成本。本发明由光源、光学温度传感部分和光电探测部分组成，光学温度传感部分由非对称马赫-曾德干涉仪实现。所述非对称马赫-曾德干涉仪的两臂具有非对称几何结构且两臂的光学相位差在-2π～2π的范围内，其中两臂的非对称几何结构通过选取不同类型的波导，如脊型波导、沟道波导、条形波导等，或者通过选取不同结构参数的同一类型的波导来实施。所述非对称马赫-曾德干涉仪波导为非良导体材料波导或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导，非良导体材料包括介质、有机物等。
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公开(公告)号：CN105974613A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610562556.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G02F1/015 , G02F1/21 , G02F2001/0154 , G02F2001/212 , G02F2001/215
Abstract: 本发明涉及一种电光集总调制器，包括光学结构、电光结构和电学结构；所述电光结构用于产生电光效应；所述光学结构用于根据所述电光效应产生相应的调制效果；所述电学结构用于为所述电光结构供电；所述电学结构的驱动方式为单驱动方式；所述电学结构包括电极，所述电极用于接收正向和/或反向传输的电信号。本发明的电光集总调制器，通过将集总调制器的电学结构的驱动方式改进为单驱动方式，可以将调制器的结电容减半，串联电阻加倍，可实现降低能耗、减小调制器尺寸、降低插损，以及提高对驱动电压的利用效率，并能够提升电光带宽，满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN103779769B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410032669.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01S3/08
Abstract: 本发明涉及一种单模半微盘谐振腔，包括分别闭合的内、外轮廓线，内、外轮廓线之间为波导，内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域，以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线组成，扇形连接区域的角度小于或等于270度且大于0度，连接区域位于谐振腔的上部、左侧或者右侧。其中，连接区域连接电阻小，可实现高速响应；过渡曲线可以使谐振腔波导逐渐变宽的同时保证不激发高阶模式和泄漏模式，降低腔损耗。且该方案不会导致自由光谱范围的减小，可以满足滤波、调制等应用对光场模式的严格要求，在需要电学或机械连接的集成领域有众多潜在的用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105511119A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610028017.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2202/103
Abstract: 本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿横向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区，所述横向垂直于所述波导的凸条区延伸方向；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向PN结和至少一个横向PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述第二轻掺杂区通过所述第一重掺杂区进行电学连接；所述第三轻掺杂区通过所述第四重掺杂区进行电学连接。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
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公开(公告)号：CN103884450B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410103121.9
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，具体为一种光电温度传感器。本发明要解决的技术问题是：降低光电温度传感器对光源的要求从而降低整个温度传感系统的成本。本发明由光源、光学温度传感部分和光电探测部分组成，光学温度传感部分由非对称马赫-曾德干涉仪实现。所述非对称马赫-曾德干涉仪的两臂具有非对称几何结构且两臂的光学相位差在-2π～2π的范围内，其中两臂的非对称几何结构通过选取不同类型的波导，如脊型波导、沟道波导、条形波导等，或者通过选取不同结构参数的同一类型的波导来实施。所述非对称马赫-曾德干涉仪波导为非良导体材料波导或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导，非良导体材料包括介质、有机物等。
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公开(公告)号：CN105511120B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610036914.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
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公开(公告)号：CN103779769A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410032669.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01S3/08
Abstract: 本发明涉及一种单模半微盘谐振腔，包括分别闭合的内、外轮廓线，内、外轮廓线之间为波导（3），所述内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域（2），以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线（1）组成，所述扇形连接区域（2）的角度小于或等于270度且大于0度。连接区域（2）最大允许270度范围的连接结构，从而连接电阻小，可实现高速响应。过渡曲线（1）可以使谐振腔波导逐渐变宽的同时保证不激发高阶模式和泄漏模式，降低腔损耗。本发明提出的半微盘谐振腔为单模工作，不会导致自由光谱范围的减小，可以满足滤波、调制等应用对光场模式的严格要求，在集成领域有众多潜在的用途，包括低能耗高速电光调制器、光学逻辑运算器件、有源滤波器、加热/调谐装置、热光开关、电/机械/光换能器等需要电学或机械连接的谐振腔结构。
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公开(公告)号：CN205318051U
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201620055112.1
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本实用新型涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°。本实用新型可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
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