公开(公告)号：CN108649127A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810471191.8

申请日：2018-05-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  罗德映 ,  杨文强 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42 ,  H01L51/0003

Abstract: 本发明公布了一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法，首先在基底上制备单晶或多晶钙钛矿前驱薄膜，然后制备金属卤化物种子层；接着基于种子层辅助制备后生长薄膜，通过与种子层材料的配合得到钙钛矿薄膜；多次重复种子层和后生长薄膜的制备得到连续多层钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面引入种子层，基于种子层辅助生长连续多层钙钛矿薄膜，得到高品质的连续多层钙钛矿薄膜，降低薄膜内部及表面缺陷密度，抑制非辐射复合，改善发光量子效率，提升器件性能。

公开(公告)号：CN110676381B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810706835.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  吴疆 ,  叶冯俊 ,  杨文强 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种图案化钙钛矿单晶阵列及其光电器件的制备方法，包括：将钙钛矿前驱液通过浸润性辅助的涂布法图案化成点阵阵列；通过基于奥氏熟化的结晶流程，将图案化的钙钛矿前驱液阵列结晶为图案化的钙钛矿单晶阵列。本发明方法制备的钙钛矿单晶阵列具有良好的单晶性和平整度，还可以用以制备具有二极管多层式结构的图案化钙钛矿单晶阵列器件，在实际应用中效果显著。

公开(公告)号：CN110676381A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201810706835.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  吴疆 ,  叶冯俊 ,  杨文强 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种图案化钙钛矿单晶阵列及其光电器件的制备方法，包括：将钙钛矿前驱液通过浸润性辅助的涂布法图案化成点阵阵列；通过基于奥氏熟化的结晶流程，将图案化的钙钛矿前驱液阵列结晶为图案化的钙钛矿单晶阵列。本发明方法制备的钙钛矿单晶阵列具有良好的单晶性和平整度，还可以用以制备具有二极管多层式结构的图案化钙钛矿单晶阵列器件，在实际应用中效果显著。