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公开(公告)号：CN102419335B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010294769.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种中子无损检测系统，属于射线无损检测领域。本系统包括一中子源、测试样品放置装置、成像装置、图像处理单元；所述中子源与所述成像装置位于所述测试样品放置装置的同一侧或所述测试样品放置装置相对的两侧；其中所述成像装置包括光阑和热中子位置灵敏探测器，所述光阑位于所述测试样品放置装置与所述热中子位置灵敏探测器之间，所述热中子位置灵敏探测器经数据线与所述图像处理单元连接。与现有技术相比，本发明可以实现厚样品高分辨率高反差灵敏度的无损检测，成像系统位置灵活可调，能实现单次照射大范围检测，并且方便实际应用。
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公开(公告)号：CN102419335A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010294769.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种中子无损检测系统，属于射线无损检测领域。本系统包括一中子源、测试样品放置装置、成像装置、图像处理单元；所述中子源与所述成像装置位于所述测试样品放置装置的同一侧或所述测试样品放置装置相对的两侧；其中所述成像装置包括光阑和热中子位置灵敏探测器，所述光阑位于所述测试样品放置装置与所述热中子位置灵敏探测器之间，所述热中子位置灵敏探测器经数据线与所述图像处理单元连接。与现有技术相比，本发明可以实现厚样品高分辨率高反差灵敏度的无损检测，成像系统位置灵活可调，能实现单次照射大范围检测，并且方便实际应用。
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公开(公告)号：CN102214490B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110105735.7
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种中子屏蔽材料及其制作方法，属于中子防护领域。本发明的中子屏蔽材料包括硼砂、水玻璃、氟硅酸钠；其中，硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15。本发明的方法为：1)取设定份数硼砂、氟硅酸钠混合物和水玻璃；其中，所述硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15；2)将水玻璃加水稀释后，加入到硼砂和氟硅酸钠混合物中搅拌均匀；3)将搅拌均匀的混合物加入压制模具中，挤压成型后脱模。本发明所提供的材料具有较好的中子屏蔽能力，并有一定的机械强度，成型速度可控，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102214490A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110105735.7
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种中子屏蔽材料及其制作方法，属于中子防护领域。本发明的中子屏蔽材料包括硼砂、水玻璃、氟硅酸钠；其中，硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15。本发明的方法为：1)取设定份数硼砂、氟硅酸钠混合物和水玻璃；其中，所述硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15；2)将水玻璃加水稀释后，加入到硼砂和氟硅酸钠混合物中搅拌均匀；3)将搅拌均匀的混合物加入压制模具中，挤压成型后脱模。本发明所提供的材料具有较好的中子屏蔽能力，并有一定的机械强度，成型速度可控，工艺简单，成本低廉。
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