公开(公告)号：CN103871745B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410077938.3

申请日：2014-03-05

申请人： 北京大学

发明人： 王习东 ,  陈燕 ,  邱建航 ,  郭敏 ,  刘丽丽

IPC分类号： H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法，在空白导电玻璃基底上通过水热生长初级ZnO纳米线阵列结构，再在其上通过胶体修饰过程负载一层ZnO纳米粒子，以修饰后的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应，即得到树枝状ZnO纳米线阵列结构材料。本发明制备方法具有设备简单、操作方便、反应条件温和等优点，极大降低生产成本，利于规模化生产。

公开(公告)号：CN103871745A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410077938.3

申请日：2014-03-05

申请人： 北京大学

发明人： 王习东 ,  陈燕 ,  邱建航 ,  郭敏 ,  刘丽丽

IPC分类号： H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法，在空白导电玻璃基底上通过水热生长初级ZnO纳米线阵列结构，再在其上通过胶体修饰过程负载一层ZnO纳米粒子，以修饰后的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应，即得到树枝状ZnO纳米线阵列结构材料。本发明制备方法具有设备简单、操作方便、反应条件温和等优点，极大降低生产成本，利于规模化生产。