公开(公告)号：CN102020253A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010537082.5

申请日：2010-11-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴凯 ,  黄斌 ,  韦嵥 ,  陈其伟 ,  陈静

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00 ,  C25D9/04 ,  C25D5/18

Abstract: 本发明提供了一种拓扑绝缘体材及其制备方法，属于新材料的制备领域。该拓扑绝缘体材料是由尺寸均一的竹节状硒化铋纳米结构组成的竹节状硒化铋纳米结构阵列。本发明采用模板辅助的方法，在模板上直接得到规整的竹节状硒化铋(铜掺杂)纳米结构阵列，制得的纳米材料具有调控材料的拓扑绝缘性能。较之于传统硒化铋材料的制备，本发明具有工艺简单、成本低廉和一次性成型等特点。

公开(公告)号：CN102020253B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010537082.5

申请日：2010-11-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴凯 ,  黄斌 ,  韦嵥 ,  陈其伟 ,  陈静

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00 ,  C25D9/04 ,  C25D5/18

Abstract: 本发明提供了一种拓扑绝缘体材及其制备方法，属于新材料的制备领域。该拓扑绝缘体材料是由尺寸均一的竹节状硒化铋纳米结构组成的竹节状硒化铋纳米结构阵列。本发明采用模板辅助的方法，在模板上直接得到规整的竹节状硒化铋(铜掺杂)纳米结构阵列，制得的纳米材料具有调控材料的拓扑绝缘性能。较之于传统硒化铋材料的制备，本发明具有工艺简单、成本低廉和一次性成型等特点。