射线源装置
    1.
    发明公开
    射线源装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116230474A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310209269.X

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明涉及射线设备技术领域,具体涉及一种射线源装置。本发明旨在解决现有射线源装置的辐照效率低的技术问题。为此目的,本发明提供了一种射线源装置,射线源装置包括:密封管,密封管的内部形成有密封容纳腔;射线发生器,射线发生器设置于密封管并向密封容纳腔发射射线;硅胶体,硅胶体包覆于密封管与射线发生器之间的连接处。本发明提供的射线源装置通过在射线源装置的导线和电极的外露部分包覆硅胶体,防止两个电极间的高压击穿放电,相较于现有的将射线源装置整体浸没于介质油层的绝缘方案,本发明能够减少射线的非弹性散射量和被吸收量,提高了射线源装置的辐照效率和能量效率,实现了高性能和高效率的射线源装置的制备。

    真空封装装置
    2.
    发明公开
    真空封装装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116280421A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310206698.1

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明具体涉及一种真空封装装置。本发明旨在解决现有真空封装装置无法有效兼顾封装气密性与封装真空度的技术问题。为此目的,本发明提供了一种真空封装装置,用于将封装件封装至待封装件,真空封装装置包括:真空腔室;设置于真空腔室的封装夹具,封装夹具的内部形成有具有开口并与真空腔室连通的封装空间,待封装件放置于封装空间,封装夹具靠近开口的侧壁设置有放置封装件的弹性凸起;施力机构,施力机构设置于封装夹具的开口处,并能够通过开口伸至封装空间以驱动封装件越过弹性凸起后封装至待封装件。本发明的真空封装装置能够在封装件与待封装件之间的真空度满足要求后,再将封装件封装至待封装件,以此有效地兼顾封装气密性与封装真空度。

    一种片上级联电子源及真空电子器件

    公开(公告)号:CN212392204U

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202021115726.7

    申请日:2020-06-16

    Inventor: 魏贤龙 李志伟

    Abstract: 本实用新型公开了一种片上级联电子源及真空电子器件。片上级联电子源包括衬底和多个隧穿结,多个隧穿结均设置于衬底上且至少两个隧穿结之间通过串联的方式相连;其中,隧穿结包括一对金属性电极和绝缘层,绝缘层分别与一对金属性电极相连。真空电子器件包括本实用新型一个或多个实施例的片上级联电子源。与常规的片上电子源相比,本实用新型能够显著地提高片上电子源的电子发射效率、增大电子源的集成度及增加电流发射密度,以使片上电子源具有更大的整体发射电流;而且本实用新型提供的片上级联电子源还具有成本低、尺寸小等突出优点;所以本实用新型提供的电子源能够广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件,尤其是微型或小型真空电子器件。

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