公开(公告)号：CN118806464A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410936859.7

申请日：2024-07-12

申请人： 北京大学口腔医学院

发明人： 刘颖熠 ,  张馨月 ,  赵一姣 ,  潘泽骞 ,  王勇

IPC分类号： A61C9/00 ,  A61C5/20 ,  A61B6/51 ,  A61B6/03 ,  A61B5/055 ,  A61B5/00 ,  G06T17/00

摘要： 本发明涉及成形片修复牙齿技术领域，尤其是涉及一种生成下颌第二磨牙远中深洞的成形片的方法及成形片。一种生成下颌第二磨牙远中深洞的成形片的方法包括获取当前患者口内，下颌第二磨牙的三维数据，其中，三维数据为备洞、排龈和止血后的数据；根据三维数据，得到下颌第二磨牙的重建形态模型；根据重建形态模型，得到成形片的边界，其中，成形片的边界表示由下颌第二磨牙的缺损牙齿近中颊舌侧外形高点线，延伸至缺损修复区域牙体组织的下边缘；根据成形片的边界，得到成形片的初始模型；根据预设的成形片的厚度，对成形片的初始模型进行抽壳处理，得到成形片的目标模型。具有降低下颌第二磨牙远中深洞充填的技术门槛效果。