公开(公告)号：CN113789572A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111095367.2

申请日：2021-09-17

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 雍庆 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  王光明 ,  姚静 ,  张宁 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： 本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构，所述石墨过滤结构上开设有多层通气孔，且相邻的两层所述通气孔在竖直方向上错位布置。这样一来，在碳化硅单晶生长过程中，碳化硅原料升华形成的气流会经过石墨过滤结构向上进行输运，在气流向上输运的过程中，气流中的碳颗粒等杂质会因石墨过滤结构的阻挡而过滤掉，而气流可以穿过通气孔，传输不会受到影响，从而阻止碳颗粒等杂质进入碳化硅单晶生长界面而形成包裹物，能够有效减少碳化硅单晶中的包裹物。

公开(公告)号：CN113789572B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202111095367.2

申请日：2021-09-17

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 雍庆 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  王光明 ,  姚静 ,  张宁 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： 本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构，所述石墨过滤结构上开设有多层通气孔，且相邻的两层所述通气孔在竖直方向上错位布置。这样一来，在碳化硅单晶生长过程中，碳化硅原料升华形成的气流会经过石墨过滤结构向上进行输运，在气流向上输运的过程中，气流中的碳颗粒等杂质会因石墨过滤结构的阻挡而过滤掉，而气流可以穿过通气孔，传输不会受到影响，从而阻止碳颗粒等杂质进入碳化硅单晶生长界面而形成包裹物，能够有效减少碳化硅单晶中的包裹物。