公开(公告)号：CN116288672A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310150969.6

申请日：2023-02-22

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司

发明人： 雍庆 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  王光明 ,  姚静 ,  曹硕 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。