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公开(公告)号：CN100561243C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710179493.X
申请日：2007-12-14
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种测量半导体器件内部芯片热接触面积的方法属于半导体器件领域，主要用于测量电学性能参数合格的器件，其芯片或管壳等主要散热构成的热接触面积，以利于热特性考核。本发明的技术方案：对测量的半导体器件瞬态温升曲线，进行微分，求出传热导路径上，主要热时间常数；通过热时间常数与热阻、热容的关系，求出该段结构的热传输长度L；通过求出的热时间常数，对温升曲线进行拟合，求出与时间常数对应的温升值和热阻值。通过热阻与结构的传热长度和接触面积的关系，求出该结构部分的热接触面积。该方法可以测量出半导体内部芯片的实际热传导长度和热接触面积，半导体器件产品的检测和质量分析方面有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101183135A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710179493.X
申请日：2007-12-14
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种测量半导体器件内部芯片热接触面积的方法属于半导体器件领域，主要用于测量电学性能参数合格的器件，其芯片或管壳等主要散热构成的热接触面积，以利于热特性考核。本发明的技术方案：对测量的半导体器件瞬态温升曲线，进行微分，求出传热导路径上，主要热时间常数；通过热时间常数与热阻、热容的关系，求出该段结构的热传输长度L；通过求出的热时间常数，对温升曲线进行拟合，求出与时间常数对应的温升值和热阻值。通过热阻与结构的传热长度和接触面积的关系，求出该结构部分的热接触面积。该方法可以测量出半导体内部芯片的实际热传导长度和热接触面积，半导体器件产品的检测和质量分析方面有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101083218A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610012078.0
申请日：2006-06-01
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。
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公开(公告)号：CN100505200C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610012078.0
申请日：2006-06-01
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。
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公开(公告)号：CN1734259A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510085223.3
申请日：2005-07-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明属半导体测量领域。目前恒温装置恒温过程长。特征在于：将半导体冷堆(202)上下面涂上导热脂，分别与导热材料平台(201)、水套平台(205)粘接；水套平台中流有换热循环水，通过水泵(203)和水箱(204)将半导体冷堆(202)产生的热量或冷量散掉；导热材料平台连接温度传感器(107)，温度传感器(107)连接到温度信号放大器(105)，输出连接到A/D转换器(104)，输入连到微处理器(101)；微处理器输出驱动指令到D/A转换器(109)，输出驱动信号到功率放大器(106)，输出驱动电流给半导体冷堆(202)；温度控制设定通过键盘(103)输入到微处理器内的；显示器(102)用于显示输入的温度指令和系统温度；本发明使恒温过程变短，提高了控温和恒温的能力。
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