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公开(公告)号：CN104316855B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410539936.1
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。
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公开(公告)号：CN104808130B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN104316855A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410539936.1
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。
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公开(公告)号：CN103954899B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410140784.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I‑V特性的测量，得到I‑V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线，再利用半导体参数分析仪采集二极管在不同电流下电压随时间的变化关系，结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线，即可得到二极管的瞬态温升。本发明采用无开关测试装置实时测量二极管瞬态温升，与带有开关切换装置的现有测量方法相比，消除了因开关切换延迟引起的温升误差。同时，图示仪产生的窄脉冲电流，脉宽足够小，可有效避免二极管自升温对温升的影响，使测试精度有很大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103822731B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410079725.4
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度?通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度?通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器件没有损伤，在保证器件安全的同时，提高了结温测量精度。
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公开(公告)号：CN104849308A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510243826.5
申请日：2015-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种半导体器件界面热阻的测试方法，在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下，基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量，利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析，提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值，得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总热阻值。接下来对测得的数据进行分析，通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的热阻的增量，同时，通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的热阻的增量，通过以上计算分析，得到要测的器件的界面热阻Rth(界面)。
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公开(公告)号：CN104808130A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN103954899A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410140784.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I-V特性的测量，得到I-V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I-V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线，再利用半导体参数分析仪采集二极管在不同电流下电压随时间的变化关系，结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线，即可得到二极管的瞬态温升。本发明采用无开关测试装置实时测量二极管瞬态温升，与带有开关切换装置的现有测量方法相比，消除了因开关切换延迟引起的温升误差。同时，图示仪产生的窄脉冲电流，脉宽足够小，可有效避免二极管自升温对温升的影响，使测试精度有很大提高。
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公开(公告)号：CN103822731A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410079725.4
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度-通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度-通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器件没有损伤，在保证器件安全的同时，提高了结温测量精度。
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