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发明公开
一种基于结晶化处理的氧化钽（Ta2O5）紫外探测器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119947315A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411844152.X

申请日：2024-12-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 马啸尘 , 李元亨 , 刘璇 , 陈德强

IPC: H10F77/169 , H10F77/12 , H10F30/227 , H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于结晶化处理的氧化钽(Ta2O5)紫外探测器及其制备方法，属于紫外探测技术领域。探测器下至上依次为衬底、经过结晶化处理的Ta2O5薄膜层和金属电极，所述Ta2O5薄膜层经过高温退火处理，所述Ta2O5薄膜中掺杂有钨。所述金属层和所述Ta2O5薄膜层形成肖特基接触。利用高温退火处理后结晶化的Ta2O5薄膜作为紫外吸收层和薄膜层与金属层所形成的肖特基接触实现高响应度和稳定的且较低的暗电流，实现高的比探测率。同时由于在薄膜制备时引入钨元素从而提高的探测器的耐高压和其对较弱刺激信号的响应能力。另外本发明工艺简单，无须引入Ta2O5以外的其他半导体材料。

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