公开(公告)号：CN114613993B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202210311513.9

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭现伟 ,  茆凌凯 ,  尉海军

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法，属于电化学储能材料技术领域。该方法通过原子层沉积技术在富锂正极材料表面沉积均匀的金属氧化物涂层。通过沉积参数调节包覆层的厚度，实现原子层级别的均匀可控的包覆层。将上述正极材料进行热处理，通过热处理可以实现金属元素均匀可控掺杂，形成微掺杂层，达到双包覆层构筑的效果。本发明涉及给富锂正极材料提供了一种双包覆层构筑的方法，对提升正极材料循环稳定性和抑制与电解质的界面副反应有重要意义。

公开(公告)号：CN114613993A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210311513.9

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭现伟 ,  茆凌凯 ,  尉海军

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法，属于电化学储能材料技术领域。该方法通过原子层沉积技术在富锂正极材料表面沉积均匀的金属氧化物涂层。通过沉积参数调节包覆层的厚度，实现原子层级别的均匀可控的包覆层。将上述正极材料进行热处理，通过热处理可以实现金属元素均匀可控掺杂，形成微掺杂层，达到双包覆层构筑的效果。本发明涉及给富锂正极材料提供了一种双包覆层构筑的方法，对提升正极材料循环稳定性和抑制与电解质的界面副反应有重要意义。