公开(公告)号：CN111276602B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010092622.7

申请日：2020-02-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  金磊 ,  王晨 ,  王斯 ,  柳杰 ,  李锐 ,  刘佳慧

IPC: H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。

公开(公告)号：CN111276602A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010092622.7

申请日：2020-02-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  金磊 ,  王晨 ,  王斯 ,  柳杰 ,  李锐 ,  刘佳慧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I-V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。

公开(公告)号：CN109263062A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811057319.2

申请日：2018-09-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  温立锋 ,  金磊 ,  杨莹 ,  王晨 ,  王斯

IPC: B29C65/52

Abstract: 本发明公开了一种应用于扩容性印刷包装的复合材料制备工艺，该制备工艺包括如下步骤：准备原料：原料包括石塑纸(石塑复合材料)，松厚度较高的纤维纸，粘合胶或树脂材料。对粘合胶或树脂材料加温，使粘合胶或树脂材料充分熔化形成粘合材料。把熔化的粘合材料充分均匀涂在石塑纸或松厚度较高的纤维纸表面。根据要求，选择使用机械复合或人工复合等方法，使石塑纸与松厚度较高的纤维纸牢固结合。本发明拓宽了现有技术中的挺度差、厚度底、不透明性差等缺陷。

公开(公告)号：CN108614203A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810423405.4

申请日：2018-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  金磊 ,  杨莹 ,  冯士维 ,  郭春生 ,  孟晓 ,  王晨

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法，首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I-V曲线，判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来，所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后，在短时间内监测到瞬态电流的产生。通过对瞬态电流的e指数函数的拟合，得到了相应的时间常数，并且通过分析不同温度对瞬态电流的影响，得到一组随温度变化而变化的时间常数谱。利用阿仑尼乌斯坐标拟合，确定BFO阻变存储器中缺陷对应能级的激活能。通过改变对阻变存储器施加脉冲的填充电压和填充时间，分析时间常数随填充电压和填充时间的变化，结合极化及陷阱填充状态对阻变存储器有序性的影响，利用时间常数分析阻变存储器内部陷阱的填充状态。