公开(公告)号：CN117983161A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410019813.9

申请日：2024-01-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王群 ,  陈柏桥 ,  李永卿 ,  于云飞

IPC: B01J19/12 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明提供了一种基于TM双模式环形耦合与环增强的狭长高强场区微波反应器，包括能量耦合环、圆柱反应腔、圆柱形能量耦合腔、环形微波反射膜片、中空点火台、同轴反射腔、物料收集筒。本发明通过能量耦合环与缝隙将TM020模式谐振腔中的微波能耦合到圆柱反应腔内，并通过反射膜片将部分向外辐射的能量反射回反应腔内，使反应腔中聚集大量能量。并控制反应腔的内径与高度，使其产生TM011模式谐振。在反应腔中心位置产生极高的电场强度，并在此区域完成等离子体点火。该反应器，实现了能量耦合与等离子体反应相分离，避免了能量耦合部分被污染；延长了微波等离子体火柱的长度，扩大了等离子体范围，有利于等离子体反应的充分进行。

公开(公告)号：CN221043318U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202320691714.6

申请日：2023-03-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王群 ,  郑长宽 ,  李永卿 ,  陈柏桥

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24

Abstract: 一种多场耦合增强型等离子体表面处理装置涉及等离子体技术领域，包括微波源、环形器、矩形波导、反应腔、双电极电场辅助增强结构、磁场辅助增强结构。该装置通过微波组件将特定频率和模式的能量馈入反应腔中激发等离子体；在反应腔中引入双电极电场辅助增强结构，在反应腔中形成局部电场；此外，在反应腔下底部分设置磁场辅助增强结构，在反应区域施加静磁场；该装置在微波源电压和频率可调范围有限的情况下，通过外加电场与磁场的作用，可以提高等离子体产生效率，同时在反应区域形成高密度的自由粒子区从而增加反应区域自由粒子的碰撞效率，提高表面处理的效率和均匀性。