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公开(公告)号：CN110515861B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201810488347.3
申请日：2018-05-21
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0871 , G06F12/0877
摘要： 本申请提供一种固态存储设备以及向其写入数据的方法，其中该方法包括如下步骤：响应于接收了刷写命令，获取当前时间以生成关联于所述刷写命令的时间戳；访问缓存描述符；获得缓存描述符中的时间戳数据；将缓存描述符的时间戳早于所述刷写命令的时间戳的缓存描述符所指示的缓存单元的数据写入非易使性存储器。
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公开(公告)号：CN116644004A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310645298.0
申请日：2018-05-23
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0862 , G06F12/1009 , G06F13/16 , G06F3/06
摘要： 本申请公开了预读方法及其存储控制器。所公开的预读方法包括如下步骤：获取读命令；判断读命令是否命中预读命令描述符；若读命令命中预读命令描述符，将所述预读命令描述符的信息复制给读命令描述符，以生成或者更新读命令描述符；根据所述读命令描述符处理读命令。
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公开(公告)号：CN110532199B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810502510.7
申请日：2018-05-23
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0862 , G06F12/1009
摘要： 本申请公开了了预读方法及其存储控制器。所公开的预读方法包括如下步骤：获取读命令；判断读命令是否命中预读命令描述符；若读命令命中预读命令描述符，用所述预读命令描述符更新读命令描述符；根据所述读命令描述符处理读命令。
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公开(公告)号：CN114610654A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210225337.7
申请日：2018-05-21
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/06 , G06F12/0877 , G06F12/10 , G06F13/16 , G06F3/06
摘要： 本申请提供一种固态存储设备以及向其写入数据的方法，其中该方法包括如下步骤：响应于接收了写命令，识别所述写命令是否命中了缓存单元；若所述写命令命中了缓存单元，判断所述命中的缓存单元是否受到刷写命令的影响；若被命中的缓存单元受刷写命令的影响，则临时缓存所述写命令以待所述刷写命令处理完成后再处理所述写命令或者为写命令分配新的不受刷写命令影响的缓存单元。
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公开(公告)号：CN112115065A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910537255.4
申请日：2019-06-20
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/1009
摘要： 公开了存储设备的统一地址空间。所提供的处理IO命令的方法，包括：获取指示了逻辑地址的读命令；使用所述逻辑地址查询FTL表，得到统一地址；根据所述统一地址计算得到物理地址；使用所述物理地址访问存储介质来获得所述读命令要访问的数据。
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公开(公告)号：CN110554833A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810548050.1
申请日：2018-05-31
申请人： 北京忆芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了存储设备中并行处理IO命令。所公开的读命令处理方法包括如下步骤：获取读命令，将读命令拆分成多个子命令；获取与子命令访问的逻辑地址对应的物理地址；将子命令添加到同子命令所访问的逻辑单元对应的子命令集合；访问子命令集合，从子命令集合获取子命令；根据子命令的物理地址访问非易失性存储器；响应于从所述读命令拆分的所有子命令处理完成，指示所述读命令处理完成。
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公开(公告)号：CN110532199A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810502510.7
申请日：2018-05-23
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0862 , G06F12/1009
摘要： 本申请公开了了预读方法及其存储控制器。所公开的预读方法包括如下步骤：获取读命令；判断读命令是否命中预读命令描述符；若读命令命中预读命令描述符，用所述预读命令描述符更新读命令描述符；根据所述读命令描述符处理读命令。
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公开(公告)号：CN108121915A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611080383.3
申请日：2016-11-30
申请人： 北京忆芯科技有限公司
CPC分类号： G06F21/575 , G06F21/64 , H04L9/3236 , H04L9/3239 , H04L9/3249 , H04L9/3252
摘要： 本申请公开了用于电子设备生产的方法、启动的方法及系统，涉及带子设备领域，用于电子设备生产的方法包括：获取用于非对称加密的公钥与私钥；基于所述公钥生成公钥签名；获取用于电子设备的加载引导器；基于所述加载引导器生成加载引导器摘要；用所述私钥使用非对称加密方法对所述加载引导器摘要进行加密，得到加载引导器签名；在电子设备的第一非易失存储器中记录所述加载引导器、所述加载引导器签名和所述公钥；以及在电子设备的第二非易失存储器中记录所述公钥签名。本发明用于验证加载引导器的来源与完整性。
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公开(公告)号：CN110554833B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810548050.1
申请日：2018-05-31
申请人： 北京忆芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了存储设备中并行处理IO命令。所公开的读命令处理方法包括如下步骤：获取读命令，将读命令拆分成多个子命令；获取与子命令访问的逻辑地址对应的物理地址；将子命令添加到同子命令所访问的逻辑单元对应的子命令集合；访问子命令集合，从子命令集合获取子命令；根据子命令的物理地址访问非易失性存储器；响应于从所述读命令拆分的所有子命令处理完成，指示所述读命令处理完成。
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公开(公告)号：CN110515861A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810488347.3
申请日：2018-05-21
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0871 , G06F12/0877
摘要： 本申请提供一种固态存储设备以及向其写入数据的方法，其中该方法包括如下步骤：响应于接收了刷写命令，获取当前时间以生成关联于所述刷写命令的时间戳；访问缓存描述符；获得缓存描述符中的时间戳数据；将缓存描述符的时间戳早于所述刷写命令的时间戳的缓存描述符所指示的缓存单元的数据写入非易使性存储器。
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