公开(公告)号：CN104451582B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410841672.5

申请日：2014-12-30

申请人： 北京恒隆科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供了一种导电氧化锆旋转靶材，该靶材成分为ZrOx，所述靶材密度为5.18—5.8g/cm3，其中，1.2≤X≤1.8。本发明还提供了一种导电氧化锆旋转靶材的制备方法，包括：氧化锆喷涂粉的制备；喷涂基体的处理；喷涂打底层；用等离子喷涂工艺在喷涂基体上喷涂氧化锆涂层。本发明提供的导电氧化锆旋转靶材，靶材结构致密、成分均匀、导电性好、无裂纹，其喷涂长度和直径不受限制，厚度可达到13mm，密度为5.18—5.8g/cm3，且本发明提供的导电氧化锆旋转靶材的制备方法，生产过程简单便捷，成本较低。

公开(公告)号：CN104593714A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410841842.X

申请日：2014-12-30

申请人： 北京恒隆科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C4/10

CPC分类号： C23C4/10

摘要： 本发明提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材，以质量百分比计，该靶材包括80-99.5％的SiC和0.5-20％的掺杂金属，其中所述掺杂金属包括Ti、Al、Cr、Ni、Cu、Ag、Sn和Zn中的一种或几种。本发明还提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材的制备方法，包括：掺杂金属的SiC喷涂粉的制备；喷涂基体的处理；喷涂打底层；采用等离子喷涂工艺在喷涂基体上喷涂掺杂金属的SiC基涂层。本发明提供的掺杂金属的SiC基旋转靶材及其制备方法，掺杂金属的SiC基旋转靶材结构致密、成分均匀、导电性好、无裂纹，其喷涂长度和直径不受限制，其靶材的相对密度可达到90％-95％之间。

公开(公告)号：CN104593714B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410841842.X

申请日：2014-12-30

申请人： 北京恒隆科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C4/10 ,  C23C4/134 ,  C23C14/34

摘要： 本发明提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材，以质量百分比计，该靶材包括80‑99.5％的SiC和0.5‑20％的掺杂金属，其中所述掺杂金属包括Ti、Al、Cr、Ni、Cu、Ag、Sn和Zn中的一种或几种。本发明还提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材的制备方法，包括：掺杂金属的SiC喷涂粉的制备；喷涂基体的处理；喷涂打底层；采用等离子喷涂工艺在喷涂基体上喷涂掺杂金属的SiC基涂层。本发明提供的掺杂金属的SiC基旋转靶材及其制备方法，掺杂金属的SiC基旋转靶材结构致密、成分均匀、导电性好、无裂纹，其喷涂长度和直径不受限制，其靶材的相对密度可达到90％‑95％之间。

公开(公告)号：CN104451582A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410841672.5

申请日：2014-12-30

申请人： 北京恒隆科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3414

摘要： 本发明提供了一种导电氧化锆旋转靶材，该靶材成分为ZrOx，所述靶材密度为5.18—5.8g/cm3，其中，1.2≤X≤1.8。本发明还提供了一种导电氧化锆旋转靶材的制备方法，包括：氧化锆喷涂粉的制备；喷涂基体的处理；喷涂打底层；用等离子喷涂工艺在喷涂基体上喷涂氧化锆涂层。本发明提供的导电氧化锆旋转靶材，靶材结构致密、成分均匀、导电性好、无裂纹，其喷涂长度和直径不受限制，厚度可达到13mm，密度为5.18—5.8g/cm3，且本发明提供的导电氧化锆旋转靶材的制备方法，生产过程简单便捷，成本较低。