公开(公告)号：CN109671456B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201811582708.7

申请日：2018-12-24

申请人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司

发明人： 吴瑞仁 ,  简汎宇 ,  黄圣财 ,  郑君华

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/56

摘要： 一种记忆体装置包含记忆体阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。字元线驱动电路用以解译记忆体字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆体单元。控制器用以切换记忆体阵列工作于单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行包含多个参考单元。参考行与多个参考单元位于记忆体阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。

公开(公告)号：CN109448771B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201811591546.3

申请日：2018-12-25

申请人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司

发明人： 吴瑞仁 ,  简汎宇 ,  黄圣财 ,  郑君华

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 一种记忆体装置，包含第一、第二记忆体阵列、第一、第二位元线驱动电路、第一、第二字元线驱动电路、读写电路、控制器以及第一、第二参考驱动电路。第一、第二记忆体阵列包含多个记忆体单元。第一、第二位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。第一、第二字元线驱动电路用以解译记忆体字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆体单元。控制器用以切换第一、第二记忆体阵列工作于单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。第一、第二参考驱动电路用以驱动参考行。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。