公开(公告)号：CN118921019A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411051611.9

申请日：2024-08-01

申请人： 北京晨晶电子有限公司

发明人： 李雨航 ,  张永斌 ,  孙学艳 ,  欧毅 ,  薛亚妮 ,  吴沛 ,  高顺良 ,  张智鹏

IPC分类号： H03B19/14

摘要： 本发明提供一种基于GaN单片集成的二倍频器、驱动源，其中二倍频器包括肖特基二极管、匹配电路以及电路基板；肖特基二极管与匹配电路采用单片集成于电路基板上；匹配电路是基于三角形渐变结构和二项式匹配结构的微带线得到的，三角形渐变结构包括首端和尾端，首端的尺寸小于尾端的尺寸；首端与肖特基二极管连接，尾端与二项式匹配电路连接。本发明提供的二倍频器、驱动源，通过将肖特基二极管与匹配电路采用单片集成于电路基板上，匹配电路采用三角形渐变结构，有效缩短电路长度，减小匹配电路所占的整体尺寸，减小二倍频器的功率损耗，则提升了二倍频器的耐功率水平，进而提升了基于二倍频器得到的驱动源的输出功率。

公开(公告)号：CN118984649A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411043900.4

申请日：2024-07-31

申请人： 北京晨晶电子有限公司

发明人： 高顺良 ,  欧毅 ,  张永斌 ,  张浩 ,  孙学艳 ,  张智鹏 ,  李雨航 ,  吴沛 ,  项超

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01L23/64

摘要： 本发明提供一种三维电感制作方法和滤波器，涉及电感制造领域。该方法包括：在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，其中，多个第一平面电极依次间隔排列且互不连通；对每个第一平面电极，将靠近衬底上边缘的端部作为第一键合点，从靠近衬底下边缘的端部作为第二键合点；利用引线键合工艺，将每个第一平面电极的第一键合点与后一个第一平面电极的第二键合点连通或者将每个第一平面电极的第二键合点与后一个第一平面电极的第一键合点连通，形成高于所述目标平面的三维回路电极。本发明方案不仅能够提升电感密度及电感值，还极大的简化制备电感的工艺降低制造成本，所制得的三维电感具有较好的性能。

公开(公告)号：CN118973376A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410999239.8

申请日：2024-07-24

申请人： 北京晨晶电子有限公司

发明人： 高顺良 ,  欧毅 ,  张永斌 ,  张浩 ,  孙学艳 ,  张智鹏 ,  李雨航 ,  吴沛 ,  项超

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01P1/20

摘要： 本发明提供一种IPD电容制作方法和滤波器，涉及硅基器件制造领域。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上开设第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔的间距等于目标电容所需介质层的长度；在所述第一孔和所述第二孔覆盖金属形成第一金属孔和第二金属孔；在所述衬底的表面制作与第一金属孔导通的第一连接端子以及与第二金属孔导通的第二连接端子；位于所述第一金属孔与所述第二金属之间的衬底为目标电容的介质层，所述第一金属孔和所述第二金属孔相对面为目标电容的电极，所述第一连接端子和所述第二连接端子为目标电容的连接端子。本发明方案有助于缩小小容值电容体积，工艺简单且成本较低，使得IPD电容的制作方法更加丰富。