一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法

    公开(公告)号:CN117554771A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202210939991.4

    申请日:2022-08-05

    IPC分类号: G01R31/26 G01R19/10 G01N27/92

    摘要: 本发明提供一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法,包括:对一个或多个碳化硅功率半导体器件施加动态栅极电应力;动态栅极电应力施加时间Ti后,获取第i组测试数据,包括:栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量,其中i为自然数;重复n次获取测试数据步骤,获取n组测试数据;且获取各组测试数据所需的动态栅极电应力施加时间Ti各不相同;其中,i∈n,n为自然数;将n组测试数据拟合得出栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量分别随动态栅极电应力施加时间的变化曲线;根据各个测试数据的变化曲线,评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。上述方法可以精确评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。

    一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN115993513A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202111221390.1

    申请日:2021-10-20

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置和测试方法。压接型IGBT模块高温反偏测试装置包括:支撑框架。上加热板,上加热板通过上压力组件连接于支撑框架。下加热板,下加热板通过下压力组件连接于支撑框架。控制单元,控制单元分别电连接上加热板和下加热板。控制单元适于控制上加热板和下加热板从两侧分别压接待测IGBT模块,并对待测IGBT模块加热或降温。且控制单元适于电连接待测IGBT模块。上加热板和下加热板均暴露于空气中。本发明的压接型IGBT模块高温反偏测试装置和测试方法使用加热板对待测IGBT模块直接加热,使得结温易于控制,可适用压接型IGBT模块的高温反偏测试。

    一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置

    公开(公告)号:CN216387279U

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202122531100.5

    申请日:2021-10-20

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本实用新型公开了一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置。压接型IGBT模块高温反偏测试装置包括:支撑框架。上加热板,上加热板通过上压力组件连接于支撑框架。下加热板,下加热板通过下压力组件连接于支撑框架。控制单元,控制单元分别电连接上加热板和下加热板。控制单元适于控制上加热板和下加热板从两侧分别压接待测IGBT模块,并对待测IGBT模块加热或降温。且控制单元适于电连接待测IGBT模块。上加热板和下加热板均暴露于空气中。本实用新型的压接型IGBT模块高温反偏测试装置使用加热板对待测IGBT模块直接加热,使得结温易于控制,可适用压接型IGBT模块的高温反偏测试。