一种低噪声放大器及其控制方法

    公开(公告)号:CN107040225B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN201610935564.3

    申请日:2016-11-01

    Abstract: 本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法,其特征在于,所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路;第一NMOS晶体管单元的栅极连接低噪声放大器的输入端,源极连接电流源后接地,漏极分别与第二NMOS晶体管单元的栅极和输出级电路连接;第二NMOS晶体管的源极与输入端连接,漏极与输出级电路连接;PMOS晶体管单元的栅极与输入端连接,源极连接于输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间,漏极连接于第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。与现有技术相比,本发明提供的一种低噪声放大器及其控制方法,可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。

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