-
公开(公告)号:CN108111451B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN201711290082.8
申请日:2017-12-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L27/00
Abstract: 本发明涉及一种频偏估计方法及系统,该方法包括:根据位判决后的待测信号对待测信号进行增益;根据增益后的待测信号获取待测信号的频偏分量;本申请的技术方案根据位判决后的待测信号的不同传输阶段对待测信号进行增益,并通过对增益后的待测信号进行积分消除所述解调模块输出的离散时域信号中±1的码流和高斯白噪声获取待测信号的频偏分量,节省硬件资源和能量,在低成本的前提下提高频偏修正的效率和精确度。
-
公开(公告)号:CN105320211B
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN201510753083.6
申请日:2015-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网天津市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F1/04
Abstract: 本发明提供一种考虑时钟停振情况的无毛刺切换时钟管理电路,所述时钟管理电路,包括:考虑时钟停振情况的时钟切换电路、时钟停振检测电路和永不停振时钟切换电路;所述考虑时钟停振情况的时钟切换电路分别与所述时钟停振检测电路和所述永不停振时钟切换电路相连。本发明可以在高频时钟出现停振情况时自动切换到RC时钟,而不会导致系统因时钟信号丢失而停止工作。
-
公开(公告)号:CN107040225B
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN201610935564.3
申请日:2016-11-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网天津市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法,其特征在于,所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路;第一NMOS晶体管单元的栅极连接低噪声放大器的输入端,源极连接电流源后接地,漏极分别与第二NMOS晶体管单元的栅极和输出级电路连接;第二NMOS晶体管的源极与输入端连接,漏极与输出级电路连接;PMOS晶体管单元的栅极与输入端连接,源极连接于输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间,漏极连接于第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。与现有技术相比,本发明提供的一种低噪声放大器及其控制方法,可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。
-
-