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公开(公告)号:CN116525596A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310491765.9
申请日:2023-05-04
申请人: 北京理工大学 , 上海芯问科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种太赫兹芯片三维封装结构及实现方法。本发明提供了基于封闭悬置线和三维电磁带隙的太赫兹芯片三维封装结构,在一定程度上摆脱了加工方式的制约,提供了一种低成本、低损耗、宽频带太赫兹芯片封装的可行方法,在保证封装结构宽带性能和低传输损耗的同时,还具有加工和装配方式简便、加工精度要求较低、制造成本低等优势,避免了复杂的工艺和高频段过于精细的加工要求;具有传输损耗小、工作带宽大的优点,能够实现封装和器件之间的高性能互连,在太赫兹芯片封装领域具备更广泛的适用性;封装结构整体由金属加工制成,工艺和安装较为简便,结构稳定,能够在太赫兹频段实现大规模应用。
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公开(公告)号:CN113067114B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202110294792.8
申请日:2021-03-19
申请人: 北京理工大学
IPC分类号: H01P5/12
摘要: 本发明公开了一种高效率毫米波宽带功率合成/分配器及其实现方法。本发明采用了径向波导功率合成技术,具有损耗小、频带宽、功率容量大以及散热性能好的优点;在径向波导—同轴线过渡结构和同轴线—波导过渡结构中引入了多阶阻抗匹配结构,实现了较高的回波损耗,从而提高了合成效率;只需要对每一层金属板进行相应的加工,最终每层堆叠在一起即可实现装配,降低了加工难度和加工成本;能够最大限度减小因加工或者装配误差产生的高次谐波的影响,从而提高了合成效率;每路径向波导端口处于同一平面,并且与过渡波导端口所在平面平行;本发明引入了滑动孔阵列结构,克服了加工装配误差导致的信号泄露问题,拓展了带宽,增加了合成效率。
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公开(公告)号:CN113067114A
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202110294792.8
申请日:2021-03-19
申请人: 北京理工大学
IPC分类号: H01P5/12
摘要: 本发明公开了一种高效率毫米波宽带功率合成/分配器及其实现方法。本发明采用了径向波导功率合成技术,具有损耗小、频带宽、功率容量大以及散热性能好的优点;在径向波导—同轴线过渡结构和同轴线—波导过渡结构中引入了多阶阻抗匹配结构,实现了较高的回波损耗,从而提高了合成效率;只需要对每一层金属板进行相应的加工,最终每层堆叠在一起即可实现装配,降低了加工难度和加工成本;能够最大限度减小因加工或者装配误差产生的高次谐波的影响,从而提高了合成效率;每路径向波导端口处于同一平面,并且与过渡波导端口所在平面平行;本发明引入了滑动孔阵列结构,克服了加工装配误差导致的信号泄露问题,拓展了带宽,增加了合成效率。
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