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公开(公告)号：CN116130914B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310136447.0
申请日：2023-02-20
申请人： 北京理工大学 , 上海芯问科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种毫米波及太赫兹单片电路过渡结构及其实现方法。本发明的电磁带隙结构包括多个相同的周期性二维排列的单元结构；每一个单元结构包括两个相同的金属销钉和一个空气销钉，电磁带隙结构使得电磁带隙调节范围更宽，金属销钉与空气销钉相结合的形式使金属销钉获得更高的等效高度，降低电磁带隙结构对销钉高度的要求；并且二维调节探针具有二维调节的作用，提高电磁能量的转换效率；本发明具有损耗小、频带宽的优点，封装过渡性能优越；本发明不仅适用于110～170GHz频段，还适用于其他毫米波波段及太赫兹波段，同时本发明不仅适用于BCB衬底单片电路，还适用于其他单片电路；并且节约加工成本，缩小整体尺寸。
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公开(公告)号：CN116130914A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310136447.0
申请日：2023-02-20
申请人： 北京理工大学 , 上海芯问科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种毫米波及太赫兹单片电路过渡结构及其实现方法。本发明的电磁带隙结构包括多个相同的周期性二维排列的单元结构；每一个单元结构包括两个相同的金属销钉和一个空气销钉，电磁带隙结构使得电磁带隙调节范围更宽，金属销钉与空气销钉相结合的形式使金属销钉获得更高的等效高度，降低电磁带隙结构对销钉高度的要求；并且二维调节探针具有二维调节的作用，提高电磁能量的转换效率；本发明具有损耗小、频带宽的优点，封装过渡性能优越；本发明不仅适用于110～170GHz频段，还适用于其他毫米波波段及太赫兹波段，同时本发明不仅适用于BCB衬底单片电路，还适用于其他单片电路；并且节约加工成本，缩小整体尺寸。
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公开(公告)号：CN113067114B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110294792.8
申请日：2021-03-19
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种高效率毫米波宽带功率合成/分配器及其实现方法。本发明采用了径向波导功率合成技术，具有损耗小、频带宽、功率容量大以及散热性能好的优点；在径向波导—同轴线过渡结构和同轴线—波导过渡结构中引入了多阶阻抗匹配结构，实现了较高的回波损耗，从而提高了合成效率；只需要对每一层金属板进行相应的加工，最终每层堆叠在一起即可实现装配，降低了加工难度和加工成本；能够最大限度减小因加工或者装配误差产生的高次谐波的影响，从而提高了合成效率；每路径向波导端口处于同一平面，并且与过渡波导端口所在平面平行；本发明引入了滑动孔阵列结构，克服了加工装配误差导致的信号泄露问题，拓展了带宽，增加了合成效率。
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公开(公告)号：CN113067114A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110294792.8
申请日：2021-03-19
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种高效率毫米波宽带功率合成/分配器及其实现方法。本发明采用了径向波导功率合成技术，具有损耗小、频带宽、功率容量大以及散热性能好的优点；在径向波导—同轴线过渡结构和同轴线—波导过渡结构中引入了多阶阻抗匹配结构，实现了较高的回波损耗，从而提高了合成效率；只需要对每一层金属板进行相应的加工，最终每层堆叠在一起即可实现装配，降低了加工难度和加工成本；能够最大限度减小因加工或者装配误差产生的高次谐波的影响，从而提高了合成效率；每路径向波导端口处于同一平面，并且与过渡波导端口所在平面平行；本发明引入了滑动孔阵列结构，克服了加工装配误差导致的信号泄露问题，拓展了带宽，增加了合成效率。
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