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公开(公告)号：CN114804079B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/194
摘要： 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN117049525A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210487750.0
申请日：2022-05-06
IPC分类号： C01B32/19
摘要： 本发明公开了一种将金属铜箔表面生长的高品质石墨烯薄膜无损洁净地转移至多种功能衬底的普适性方法。该方法无需使用丙酮等有机溶剂去除转移媒介，实现石墨烯薄膜的高效洁净的无损转移。该方法通过调控石墨烯与目标衬底间的界面结合力，使转移媒介层与石墨烯薄膜的结合力小于转移媒介层与剥离膜之间的结合力，实现从石墨烯薄膜表面直接剥离转移媒介层。无需丙酮等有机试剂的参与，即可成功实现石墨烯薄膜的无损洁净转移。该方法获得的石墨烯薄膜完整度高达99％，洁净度高，且整个转移过程无需使用有机溶液，工艺简单、环保，有望用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114804079A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/194
摘要： 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN114572974A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011384432.9
申请日：2020-12-01
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成小分子聚合物层，得到小分子聚合物层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在所述小分子聚合物层上形成有机辅助支撑层；在所述有机辅助支撑层表面粘附热释放胶带层；除去所述金属基底，得到热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体；将所述热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热去除所述热释放胶带层；及用有机溶剂除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层。本发明的转移方法，可以避免除去有机辅助支撑层在石墨烯薄膜表面的残留，提高石墨烯薄膜表面的洁净度。
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公开(公告)号：CN118372518A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410516824.8
申请日：2024-04-26
申请人： 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC分类号： B32B9/04 , B32B25/20 , B32B33/00 , B32B7/10 , B29C65/48 , B29C65/00 , B29B15/12 , C08L83/07 , C08L83/04 , C08L83/05 , B29L9/00
摘要： 本发明公开了一种碳纤维增强型导热垫片及其制备方法。该导热垫片经表面接枝有硅烷偶联剂的碳纤维布与导热硅胶材料复合成型。采用碳纤维布替换现有技术中的玻璃纤维布，解决了玻璃纤维布本征热传导能力差的缺陷。
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