-
公开(公告)号：CN101565164A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910085953.1
申请日：2009-05-31
Applicant: 北京石油化工学院
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明实施例提供一种量子点生长控制方法及控制设备。属于量子点材料制备领域。该控制方法包括：将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中，在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波，使超声波驻波形成的节点柱指向所述衬底；使溶液中的量子点材料经超声波驻波形成的节点柱向衬底上沉降生长量子点；调整超声波在溶液中的频率或波长来调节量子点在所述衬底上的生长位置。该控制方法具有操作简单、实现了量子点的定位可控生长，具有定位准确、设备廉价等特点，可以制备出在指定位置生长有量子点的材料，通过控制超声波的波长与频率，可控制衬底上生长的量子点的位置。
-
公开(公告)号：CN101623682A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116407.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 北京石油化工学院
Abstract: 本发明公开一种液位沉降法制备薄膜的装置，该装置包括：容器、加热板、储液器和管路，其中，所述容器为方形扁平结构，容器上设有输液口，所述容器通过输液口经管路与储液器连通；所述容器上设有加热板，所述加热板与容器内放置制膜的基板的位置相对应，用于薄膜的干燥和退火。该装置结构简单，由于采用方形扁平结构的容器，减少了用液量，有效降低了制备薄膜的成本，并且通过控制液位的沉降，可以方便的制备所需的薄膜，而基板不用动，装置可任意角度倾斜，使一次性镀膜厚度可控，加快了制备薄膜时间。
-
公开(公告)号：CN101623682B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810116407.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 北京石油化工学院
Abstract: 本发明公开一种液位沉降法制备薄膜的装置，该装置包括：容器、加热板、储液器和管路，其中，所述容器为方形扁平结构，容器上设有输液口，所述容器通过输液口经管路与储液器连通；所述容器上设有加热板，所述加热板与容器内放置制膜的基板的位置相对应，用于薄膜的干燥和退火。该装置结构简单，由于采用方形扁平结构的容器，减少了用液量，有效降低了制备薄膜的成本，并且通过控制液位的沉降，可以方便的制备所需的薄膜，而基板不用动，装置可任意角度倾斜，使一次性镀膜厚度可控，加快了制备薄膜时间。
-
公开(公告)号：CN101565164B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910085953.1
申请日：2009-05-31
Applicant: 北京石油化工学院
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明实施例提供一种量子点生长控制方法及控制设备。属于量子点材料制备领域。该控制方法包括：将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中，在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波，使超声波驻波形成的节点柱指向所述衬底；使溶液中的量子点材料经超声波驻波形成的节点柱向衬底上沉降生长量子点；调整超声波在溶液中的频率或波长来调节量子点在所述衬底上的生长位置。该控制方法具有操作简单、实现了量子点的定位可控生长，具有定位准确、设备廉价等特点，可以制备出在指定位置生长有量子点的材料，通过控制超声波的波长与频率，可控制衬底上生长的量子点的位置。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
