公开(公告)号：CN116285993B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202211736273.3

申请日：2022-12-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 黄菲 ,  余彬彬 ,  田建军

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高色纯度蓝光发射ZnSe/ZnSeTe/ZnSe球形量子阱结构的合成方法，其属于半导体纳米晶材料合成及发光显示技术领域。该方法为在氩气环境下，通过热注入法合成ZnSe量子点核心，再通过连续离子层吸附法，交替注入阴阳离子前驱体，在ZnSe表面包覆ZnSeTe层；继续交替注入阳离子与阴离子前驱体合成ZnSe/ZnSeTe/ZnSe球形量子阱。采用一锅法合成工艺，能有效避免量子点纯化过程带来的氧化问题；且合成的球形量子阱结构能够有效地调节光致发光发射峰位，获得蓝光发射，并且与传统方法相比保持高色纯度；形成相干应变异质结构，降低ZnSe与ZnSeTe之间的晶格错配缺陷，有效改进了传统核壳结构的荧光量子产率，经过厚的ZnS外壳层修饰表面缺陷，最终获得了高色纯度（发光半峰宽 18nm）~和高荧光量子产率（>90%）。

公开(公告)号：CN116285993A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211736273.3

申请日：2022-12-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 黄菲 ,  余彬彬 ,  田建军

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高色纯度蓝光发射ZnSe/ZnSeTe/ZnSe球形量子阱结构的合成方法，其属于半导体纳米晶材料合成及发光显示技术领域。该方法为在氩气环境下，通过热注入法合成ZnSe量子点核心，再通过连续离子层吸附法，交替注入阴阳离子前驱体，在ZnSe表面包覆ZnSeTe层；继续交替注入阳离子与阴离子前驱体合成ZnSe/ZnSeTe/ZnSe球形量子阱。采用一锅法合成工艺，能有效避免量子点纯化过程带来的氧化问题；且合成的球形量子阱结构能够有效地调节光致发光发射峰位，获得蓝光发射，并且与传统方法相比保持高色纯度；形成相干应变异质结构，降低ZnSe与ZnSeTe之间的晶格错配缺陷，有效改进了传统核壳结构的荧光量子产率，经过厚的ZnS外壳层修饰表面缺陷，最终获得了高色纯度（发光半峰宽~18nm）和高荧光量子产率（>90%）。