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公开(公告)号：CN1151314C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02103673.X
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10-7～8×10-7Pa，溅射气压为1×10-4～3×10-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1442502A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03121417.7
申请日：2003-03-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备大块非晶/纤维复合材料的方法及其设备。其设备特征在于：发热体(6)由1层钼片和6层反射屏组成，模具(19)放在发热体内，下部与牵引机构相连，模具采用石英玻璃或石墨制造，模具的外径尺寸10～50mm，高度200～500mm，石英玻璃和石墨模具总部采用缩颈设计，缩颈内孔2～5mm，模具采用气动方式牵引(14)；冷却水槽(16)置于模具的下方，采用双壁设计，双壁中间通冷却水，中心部分放入Ga－In，Ga－In－Sn合金，模具与冷却槽之间采用动密封。本发明的优点在于：有利于控制影响非晶形成能力和基体与增强体结合的诸多因素，减少了熔体污染，降低了原材料的成本。
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公开(公告)号：CN1442254A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03121418.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种新型采用控温技术加双室喷铸－吸铸设备以及利用该设备制备大块非晶合金的方法。其设备的特征在于：该设备由上炉室(7)和下炉室(13)两个炉室组成，上炉室与下炉室由一层水冷板隔开，发热体(6)由1层钼片和6层反射屏组成；模具(17)放在发热体内，采用石英玻璃或石墨制造，模具穿过水冷隔板，在水冷隔板处采用U形圈密封，模具的下部设计有圆孔，熔炼合金时该孔用石英玻璃或石墨塞堵住，充填室利用拔塞机构(18)将塞拔出；水冷铜模(14)采用紫铜制造。本发明的优点在于：将熔体喷铸与吸铸技术相结合，实现了熔体的高速充填和致密成形，特别适合大尺寸大块非晶的制备。
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公开(公告)号：CN1380441A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02103673.X
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置,涉及薄膜的制备方法及装置,特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜,控制样品制备室的本底真空为2×10－7～8×10－7Pa,溅射气压为1×10－4～3×10－4Pa,薄膜沉积速率1～3A/分钟,在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜,采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2),基片(3)被贴在基座(2)下面,并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜,而且制备简单,成本低。
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